一、可变矩形电子束曝光机图形数据转换软件的实用化研制（论文文献综述）
赵真玉[1]（2010）在《电子束光刻邻近效应校正技术研究》文中研究说明微细加工技术是制备超大规模集成电路的关键技术,随着集成电路特征尺寸的不断减小和三维微结构制造要求的不断提高,对分辨率的要求越来越高,这就对图形加工技术提出了更高的要求。电子束光刻技术是目前最好的图形制作技术之一,但电子散射引起的邻近效应降低了微细加工图形的精度,因此,为了获得精确的图形,必须进行邻近效应校正。本学位论文对电子束光刻技术在二维抗蚀剂图形制作和三维微结构加工中的邻近效应校正问题进行了较全面的分析研究。论文的主要工作集中于二维电子束光刻的邻近效应校正技术研究及其算法实现,三维电子束光刻仿真技术研究,分析了三维电子束光刻仿真模型的性能,主要工作概括如下:1.二维电子束光刻的邻近效应校正技术研究在二维电子束光刻技术中,依据电子束光刻邻近效应的产生机理,探讨有效提高校正速度的邻近效应校正方法,对图形内部、相邻图形和复杂图形之间产生的邻近效应分别进行讨论,有针对性地采用适合的方法实现邻近效应校正,获得符合设计图形要求的校正图形,提高了校正速度。2.重点研究了T型和L型复杂图形的相互邻近效应校正方法,设计并实现了复杂图形的校正软件,获得了符合设计图形要求的校正图形。3.研究了提高校正速度的方法,利用对局部曝光窗口中的图形能量沉积求累加和的方法代替目前直接卷积的方法,在校正精度不变的情况下,有效提高了校正速度。4.三维电子束光刻仿真模型的研究与优化分析研究了电子在三维抗蚀剂中的散射过程,利用Monte Carlo模拟软件获得了电子束在抗蚀剂中的三维能量沉积分布,研究了电子束光刻的三维分层模型,并对三维模型进行了性能分析。应用分层计算方法和重复增量扫描策略,对三维微结构进行了仿真。
杨瑞[2]（2010）在《基于并行计算的电子束光刻邻近效应校正技术研究》文中进行了进一步梳理集成电路特征线宽不断减小的趋势和MEMS技术制备三维微结构的要求,都需要通过采用适当的方法对电子束光刻技术中由电子的散射引起的邻近效应进行补偿,以获得足够的图形精度,但由于电子束光刻技术实验成本高,耗时长,因此需要采用计算机技术对电子束光刻过程中产生的邻近效应进行校正、实现电子束光刻图形的仿真,以节约时间消耗,降低实验成本。本学位论文对电子束光刻技术制造集成电路掩模和在MEMS制造三维微结构中的邻近效应校正问题进行了较全面的研究。论文的主要工作集中于二维电子束光刻的邻近效应校正技术的研究、三维电子束光刻仿真模型的建立、三维邻近效应校正技术算法研究和并行化。主要工作概括如下:1.集成电路掩模制造过程中的邻近效应校正技术研究在制备集成电路掩模的二维电子束光刻技术中,针对电子束光刻邻近效应校正技术研究中存在的计算时间、空间代价高的问题,采用CDF函数、最大矩形和顶点矩形替换的方法、大像点近似等多种方法综合解决邻近效应的校正,加快校正速度,获得了良好的二维邻近效应校正效果。2.三维仿真模型的建立与三维邻近效应校正技术MEMS技术中需要应用电子束光刻技术制备三维微结构,针对电子束光刻三维仿真的问题,首先研究了厚层抗蚀剂深度方向上的能量沉积变化规律,然后建立了分层的三维能量沉积分布模型,实现了对电子束光刻的三维仿真,并在分层模型基础上实现了对电子束光刻三维邻近效应的校正。实验表明采用分层计算的方法建立的电子束光刻三维能量沉积模型能较为准确的模拟获得的三维微结构并能够获得较好的三维邻近效应的校正效果。3.三维邻近效应校正并行算法的研究针对三维邻近效应校正过程中时间消耗长和内存消耗大的问题,提出了并行的三维邻近效应的校正算法,采用并行计算和合理的分割技术计算三维情况下的能量沉积密度,加快了邻近效应的校正速度,设计的并行校正算法为大规模的和大计算量的邻近效应校正提供了新的途径。
卢文娟[3]（2007）在《电子束重复增量扫描产生三维结构的关键技术研究》文中研究说明系统的微小型化始终是当代科技发展的重要方向。微机电系统是在此趋势的推动下发展起来的,具有广泛应用前景的涉及多学科的新兴技术领域,微加工技术是实现微机电系统的关键技术。随着微机电系统的深入研究和快速发展,需要能够精确地产生复杂曲面和各种形状的三维微结构的加工技术与之相适应。当前用于三维微结构加工的技术主要有体硅微加工技术、LIGA（Lithographie、Galvanoformung andAbformung）技术和IH（Integrated Harden Polymer Stereo Lithography）三维光刻技术等。体硅微加工技术和LIGA技术能够制作高精度、高深宽比的陡直微细结构,但其缺点是难于加工各种微曲面和结构较为复杂的器件;IH三维光刻技术从理论上能加工出任意曲面和高深宽比的复杂结构,但因其工艺中x、y向的扫描是靠X/Y工作台的机械移动来完成的,加工精度较低,分辨率目前仅为亚微米级。目前这些微三维加工技术都不能很好地适应今后微机电系统的高速发展,因此需要寻求更好的加工手段。电子束曝光技术是公认的最好的高分辨率图形制作技术,目前主要用于二维精密集成电路掩膜制作。由于电子束理论上可以聚成十几个埃的束斑,易于控制,且其在超大规模集成电路掩膜制造中所起的重要作用到目前为止仍无法用其他方法替代。在实验室条件下,已能将电子束聚焦成尺寸小于2nm的束斑,实现了纳米级曝光。由于辐射剂量不同,可以得到不同深度的抗蚀剂图形。因此,传统的电子束三维加工多是通过改变剂量来实现,但通用电子束曝光系统在曝光过程中剂量无法改变,因此难于直接进行微三维结构的加工。基于自行研制的DSP控制的新型图形发生器,山东大学电子束研究所提出了一种使用通用电子束曝光系统进行微三维加工的新方法——电子束重复增量扫描曝光方法。该扫描方法无需改变曝光剂量,通过改变扫描次数即图形的设计参数来改变曝光总剂量,提高了曝光效率,弥补了通用电子束曝光系统无法改变剂量的缺陷,为通用电子束曝光系统生成三维结构提供了新的方法。该方法可以直接在基片上产生高精度的垂直、曲面、微尖等三维结构,属于电子束直写技术（Electron Beam Direct Writing,EBDW）。新方法的提出,首先需要对其可行性进行研究;再者,为了使新方法能够满足微系统更高精度以及复杂器件结构加工的要求,需要对曝光参数选定、曝光图形设计及数据处理、新方法的应用范围推广等多方面进行深入的研究。本论文主要围绕着电子束重复增量扫描方式的曝光反应机理,电子束能量、剂量对刻蚀深度的影响,曝光图形数据处理,新方法应用前景等关键问题开展深入细致地研究,具体研究工作及创新点概括如下:1.从高分子辐射化学角度对电子束重复增量扫描曝光方法作用于正性抗蚀剂PMMA的实际反应机理进行了深入地研究,并根据Charlesby-Pinner理论推导出辐射剂量与辐射降解程度、降解产物平均分子量间的关系,即辐射剂量越大,辐射降解程度越大,降解后的产物的平均分子量越小,则溶解度越大;反之,辐射剂量越小,辐射降解程度越小,降解后的产物的平均分子量越大,则溶解度越小。通过曝光实验进行了验证,从理论和实验上证明了电子束重复增量扫描曝光方法产生三维结构的可行性。2.采用Monte Carlo模拟和Grun公式两种方法对电子束能量与刻蚀深度间的关系进行深入地研究。研究结果表明:电子束能量越大,在抗蚀剂内的刻蚀深度就越深;电子束能量越大,电子横向作用范围也越大,但抗蚀剂吸收能量密度分布曲线越陡峭,因此,增加入射束能可以减弱邻近效应,有利于提高曝光分辨率。以理论分析结果为参考依据,在SDS-Ⅱ型电子束曝光机中对抗蚀剂PMMA进行曝光实验,得到的实验结果与理论分析结果基本一致,证明了理论分析方法的正确,对电子束微三维曝光实验加速电压的选取起到了重要的指导作用。3.采用Monte Carlo模拟和解析法两种方法对电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系进行深入地研究。研究结论为:电子束曝光剂量越大,刻蚀深度越深;曝光剂量越小,刻蚀深度越浅。以PMMA和TMPTA为抗蚀剂在SDS-Ⅱ型电子束曝光机中进行曝光实验,得到的实验结果与理论分析结果基本一致,验证了该结论的正确性。对液态抗蚀剂TMPTA的分析结果表明上述结论也适用于电子束液态曝光技术。通过Monte Carlo模拟结果,还发现电子的横向扩散范围随曝光剂量的增加而扩大,这会导致各曝光图形之间相互影响,加剧邻近效应,影响曝光图形线宽精度。在电子束微三维曝光实验中,可以根据曝光图形的尺寸及精度要求,以剂量与刻蚀深度间的关系的理论分析结论为指导,合理地选择曝光剂量。4.利用反差经验公式精确地确定电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系,克服了实验方法的繁琐性。通过Monte Carlo模拟得到吸收能量密度来计算反差的方法,也同样避免了大量的实验任务。将计算结果通过曲线拟合得到关系曲线,与实验结果基本一致,验证了该方法的可行性。在给定曝光图形深度的情况下,可根据该关系来精确选择曝光剂量,节省实验时间,提高曝光效率。5.引入微流体力学理论对PCR微流控芯片微通道的结构进行优化设计。以往的文献资料中研究的微通道截面以矩形居多,且目前的加工方法得到的微通道绝大多数都为矩形截面。通过比较横截面积相同的微圆形通道与微矩形通道可知,流体在微圆通道中流动时,由摩擦引起的等效水头损失及表面张力均小于微矩形通道,因此,为了克服这些压力并保证流体在微通道中以一定的速度流动,微圆通道所需的驱动力就会比微矩形通道的要小。6.提出了利用电子束重复增量扫描曝光方式制作PCR微流控芯片微圆通道的新方法。利用电子束重复增量扫描曝光方法可以进行曲面加工的优势,来制作PCR芯片微圆通道。在圆束矢量扫描电子束曝光机JSM-35CF上进行曝光实验,显影后得到边缘光滑的微通道。7.进行了利用电子束重复增量扫描曝光方法制作软刻蚀技术用微三维母版的实验研究。弹性印章是软刻蚀技术的核心,要制作弹性印章就需要有相应的母版。通过对曝光量的计算、工艺过程探讨、曝光实验结果等方面的分析研究,证明了用该方法加工微三维母版的可行性。8.进行了电子束重复增量扫描曝光方式与软刻蚀技术相结合加工微三维器件方法的研究。充分利用电子束重复增量扫描曝光方式与软刻蚀技术的优势,将二者结合起来,有望成为适应微机电系统发展的一种简单、有效、低成本的新微三维加工方法。
郝慧娟[4]（2007）在《电子束光刻的三维加工和邻近效应校正技术研究》文中认为微机电系统器件的制造要求微三维加工工艺。当前制作三维微结构的技术主要有体硅微加工技术、LIGA（Lithographie，Galvanoformung and Abformung）技术、IH（Integrated Harden Polymer Stereo Lithography）工艺等。体硅微加工技术和LIGA技术能够制作高精度、高深宽比的陡直微细结构，但是难于加工各种微曲面和结构较为复杂的器件；IH三维光刻技术从理论上能加工出任意曲面和任意高深宽比的复杂结构，但因其工艺中X、Y向的扫描是靠X／Y工作台的机械移动来完成的，加工精度较低，分辨率目前仅为亚微米级。为了满足微机电系统的快速发展，需求精度更高的加工手段。电子束光刻技术是目前公认的最好的高分辨率图形制作技术，目前主要用于0.1～0.5μm精密二维掩模制造，而难于生产高深宽比的三维结构。本学位论文围绕着电子束光刻技术直接在基片上产生高精度的垂直、曲面、微尖等三维结构等问题，对电子束光刻、邻近效应校正、显影过程模拟等问题进行了较全面和较深入的研究，提出了多种新的计算方法；根据抗蚀剂吸收能量密度的计算结果，对三维结构进行了邻近效应校正；结合显影模型，模拟了三维结构的显影轮廓。在准确模拟曝光、显影过程的基础上，研究了不同曝光、显影条件对抗蚀剂吸收能量分布、显影线宽、边墙陡度的影响。论文的主要工作集中于电子束三维光刻方法、曝光的计算机模拟、工艺优化，概括如下：1、首次提出了电子束重复增量扫描方式，为通用电子束曝光系统提供了一种新的三维加工方法。曝光实验得到了轮廓清晰的正梯锥1、圆锥、梯锥1的三维结构，验证了该扫描方式的可行性和正确性。重复增量扫描方式无需改变曝光剂量，通过重复、重叠的多次曝光，使光刻图形不同的位置得到不同的曝光总剂量，实现对图形的三维加工；该扫描方式也无需进行复杂的图形分割，避免了图形分割带来的数据量过大的问题，降低了数据传输时间，从而可以降低曝光总时间，提高曝光效率；该扫描方式也不用在光刻过程中改变束斑参数，克服了系统内部扫描频率的限制，为通用电子束光刻系统进行曲面图形的加工提供了条件。2、根据光刻胶的反差的经验公式，提出了曝光剂量与刻蚀深度关系的计算方法，减少了实验次数和由于测量带来的误差，而且为电子束光刻的三维加工提供了重要参数。3、提出了抗蚀剂灵敏度、反差的计算方法，为电子束三维加工和曝光剂量与刻蚀深度关系的计算提供了重要参数。对不同入射电子束能量、抗蚀剂厚度的反差的计算显示：随着入射电子束能量的增加，反差不断减小；随着抗蚀剂厚度的增加，反差不断增大。4、提出了邻近函数的改进形式，并用于计算抗蚀剂吸收能量密度分布，克服了解析法和Monte Carlo模拟法无法克服的局限性，使吸收能量密度的计算真正用于软件中。对不同曝光条件下的抗蚀剂吸收能量密度分布的计算获得了其分布规律，而且得出了优化电子束光刻的工艺条件：（1）随着入射电子束能量的增加，电子的横向分布范围增大，但抗蚀剂的吸收能量密度分布曲线越来越陡峭，即：抗蚀剂单位体积内沉积的能量也越大。因而，高入射电子束能量有利于邻近效应的降低。（2）抗蚀剂厚度对吸收能量密度分布的影响不是很明显，主要影响前散射电子的能量密度分布。抗蚀剂越薄，电子的沉积能量密度分布曲线越陡峭。因而，薄抗蚀剂层有利于邻近效应的降低。（3）低原子序数的衬底产生的背散射电子数目较少，而且电子在衬底中的能量损失率较高，从而由衬底返回胶中的背散射电子在抗蚀剂中的能量沉积密度较小，有利于邻近效应的降低。（4）束斑直径越小，抗蚀剂吸收能量密度分布曲线越陡峭，越有利于邻近效应的降低，提高分辨率。因而，适量的高束能、薄胶层、低原子序数衬底、小束斑有利于邻近效应的降低、分辨率的提高。5、采用了最小二乘非线性曲线拟合的方法确定邻近函数参数，克服了直线拟合带来的α误差较大的问题，比单高斯拟合得到的结果更精确。对不同曝光条件下的参数（α、β、η）的计算获得了其分布规律，不仅能为电子束曝光条件的优化、邻近效应的降低提供理论指导，而且能为邻近效应校正快速地提供精确的参数。（1）随着入射电子束能量的增加，α不断减小，β不断增大，而η几乎不变，表明提高入射电子束能量有利于邻近效应的降低。（2）随着抗蚀剂厚度的增加，α不断增大，β、η变化不明显，说明薄抗蚀剂有利于分辨率的提高和邻近效应的降低。（3）衬底材料对α的影响较小，随着衬底材料原子序数的增大，β减小，η增大，说明低原子序数的衬底材料，有利于邻近效应的降低。6、研究了邻近效应产生的机理，引入累积分布函数计算各关键点的有效曝光剂量。通过预先建立计算过程中需要的各种规则表，计算过程中需要的参数通过查表直接获得，快速、准确地实现曝光图形能量分布的计算。7、提出了水平和深度两个方向分别对三维结构邻近效应进行校正的方法。水平方向采用最大矩形法校正，同时考虑了抗蚀剂不同深度处吸收能量密度分布不同。深度方向的校正从吸收能量密度与曝光剂量的关系上考虑。校正后的曝光过程无需改变曝光剂量，为剂量无法改变的系统提供了三维结构的校正方法。通过预先建立校正过程中需要的各种规则表，校正过程中需要的参数直接查表获得，快速、准确地实现了校正，提高了曝光效率。校正结果显示，邻近效应已大大降低。8、采用了基于遗传算法的最小二乘法确定显影速率参数，与传统的Gauss-Newton迭代法比较显示，基于遗传算法拟合的残差平方和较小，拟合效果更好，而且与参数初始值的选取无关，具有较强的鲁棒性。9、对光线追迹模型中的射线前进算法进行了改进，采用了递归的射线前进算法计算射线轨迹，降低了显影模拟中射线间的不连续性，光线追迹算法也更加精确。研究了不同曝光条件、显影时间对显影线宽Wb、边墙陡度θ的影响，得出了参数的分布规律，不仅为优化电子束曝光和显影工艺提供了参数，也为改进图形设计提供了参数依据。（1）在给定的曝光剂量下，随着加速电压的增大，Wb不断减小，θ值先减小，后增大。（2）在给定的加速电压下，随着曝光剂量增大，Wb、θ不断增大。（3）在给定的加速电压、曝光剂量下，随着抗蚀剂厚度的增加，Wb值不断减小，θ不断增加。（4）随着显影时间的增加，Wb逐渐增大，θ在开始时处于逐渐增加的趋势，当达到一定的最大值时又表现出下降的趋势。
刘伟[5]（2006）在《纳米级电子束曝光系统用图形发生器技术研究》文中提出纳米级电子束曝光系统是微纳加工的重要设备,图形发生器是电子束曝光系统的核心部件,包括硬件和软件两部分。硬件设计吸纳了近年来数字信号处理的最新成果,利用高性能数字信号处理器（DSP）将要曝光的单元图形拆分成线条和点,然后通过优化设计的数模转换电路,将数字量转化成高精度的模拟量,驱动扫描电镜的偏转器,实现电子束的扫描。为此目的特构建了x方向和y方向两组数模转换电路,每组包括1个16位主数模和3个16位乘法数模。通过图形发生器可以对标准样片进行图像采集,进行扫描场的线性畸变校正,包括扫描场增益、旋转和位移校正。另外,图形发生器还可以控制束闸的通断。配合精密定位工件台和激光干涉仪,可以实现曝光场的拼接,拼接精度优于0. 2μm。通过检测芯片的标记,还可以实现曝光图形的套刻。利用配套软件既可以新建曝光图形,也可以导入通用格式文件,例如CIF和GDSII文件,进行曝光参数设置、图形修正、图形分割、邻近效应修正等工作,然后将曝光图形数据转换成图形发生器可以识别的EDF文件,完成曝光图形的准备工作。图形发生器可直接处理的单元图形包括:矩形、梯形、折线、点、圆及圆环。该图形发生器能够与扫描电子显微镜、聚焦离子束设备以及扫描探针显微镜连接,组建成纳米级光刻系统。我们将图形发生器与JSM-6360（LaB6阴极）扫描电子显微镜连接,进行了大量实验,得到了多组曝光图形,最细线条为28 .6nm。
李晨菲[6]（2005）在《扫描电子束曝光机背散射电子检测与对准技术的研究》文中进行了进一步梳理本文通过对扫描电子束曝光机标记信号检测及对准技术的分析,提出了背散射检测电路的设计方案和电路原理图,给出了实验结果;总结了电子束扫描场畸变的种类,给出了线性畸变的自动校正软件的设计方案和流程图;介绍了非线性畸变校正的方法。由于背散射电子信号的图像既可以显示样品的形貌也可以显示样品的成分所以选择背散射电子信号进行标记位置检测。检测器采用的是双半圆环形的半导体检测器。背散射检测电路是由检测器、模拟信号处理电路、A/D 转换器、数字信号处理、计算机和控制单元组成的。为了提高电路的抗干扰能力,从电路原理图设计到PCB 板制作都采取了一些抑制噪声的措施,本文对此做了详细介绍。总结了扫描场畸变的种类,以制作好的检测电路和现有的图形发生器为硬件基础,设计了扫描场线性畸变的自动校正软件。该软件是在Windows XP 操作系统中用C 语言实现的。在程序中采用了许多技术手段,包括降噪处理、二值化、数字增强技术等。扫描场的非线性畸变种类较多,情况复杂,相应的校正方法也很多,可以作为以后深入研究的方向之一。文章最后讨论了课题的特点以及可能的发展方向。
王颖[7]（2005）在《Ee～-BES-40A光栅扫描电子束曝光机控制系统的改进研究》文中研究说明集成电路产业是现代信息产业的基础,是改造和提升传统产业的核心技术。随着微细加工技术的进步,集成电路的特征线宽进入到深亚微米领域,电子束曝光代表了最成熟的亚微米级曝光技术,是近年来发展极快且实用性较强的曝光技术。电子束曝光技术的显着优点就是分辨率高,灵活性强,容易获得亚微米分辨率的精细图形。电子束曝光技术这些优势使电子束曝光技术不仅在掩模版制作方面一直处于主流地位而且将在纳米器件的研制和生产中发挥重要作用。 本文从研究电子束曝光系统的基本原理入手,着重研究了现有的Ee-BES—40A光栅扫描电子束曝光机控制系统的控制原理和控制条件。Ee-BES—40A是第二代电子束曝光系统,是一个集电子光学、精密机械、超高真空、计算机自动控制等近代高新技术于一体的复杂系统,主要用于在大规模集成电路（LSIC）中制作图形掩模和光栅。Ee-BES—40A光栅扫描电子束曝光机机械部分较为精密,并且其多项技术指标在国内处于较为先进的水平。将该机器恢复起来可满足近几年微机械、生物芯片、激光器件等的研制要求。但原控制系统中的计算机太陈旧,计算机的有些配件已被淘汰,给维护曝光机控制系统带来了困难。而PC机具有更好的性能,更快的处理速度以及更大的存储容量。所以,我们把曝光机的控制计算机用PC机替换下来。原有曝光机采用光栅扫描方式,但加工方式光栅扫描方式没有矢量扫描方式灵活。在我们涉足的三维加工研中,MEMS（微机电系统）的图形更为复杂,对图形扫描灵活性的要求大大提高。无疑选择矢量扫描方式更符合我们研究发展的要求。因此我们另一个改进要点就是将电子束光栅扫描曝光方式改为电子束矢量扫描曝光。改进该曝光机控制部分将为电子束三维加工曝光技术方面的实验研究提供必要的工具和条件,对推动微细加工及MEMS方面的发展起到积极的作用。 Ee-BES—40A由三台计算机控制,分别是Eclipse主控计算机、Minicon专用计算机和8080微控制器,此外还包括一些测量和驱动接口及控制器。本论文在研究原曝光机控制机理制后,又深入研究了该曝光机的光柱调整、标记检测、激光测量系统和工作台等机械部件的功能。在掌握原有控
刘珠明[8]（2005）在《纳米级电子束曝光机聚焦偏转系统的研究》文中研究指明电子束曝光技术是掩模版制作和纳米器件研究的主要手段。它具有很高的分辨率,最细线宽可达5 纳米。对于大学和普通实验室来说,一种基于SEM 的纳米级电子束曝光机,因其价格便宜、操作灵活受到欢迎,具有很好的应用前景。但这类机器,偏转场一般只有100 微米左右,生产率较低。加大扫描场、采用高亮度阴极、高速度工件台和高灵敏度感光胶是提高生产率的主要方法,其中,加大扫描场具有很大潜力。但单纯加大扫描场往往使系统分辨率严重下降。针对上述要求和问题,本文就具有低像差、大扫描场的纳米级聚焦偏转系统展开研究。论文主要有两个部分: （1） 基于JSM-35CF 扫描电镜的纳米级偏转系统优化设计和相关研究。借助目前最先进的商用电子光学软件,用二阶有限元法计算得到高精度的空间场分布,以五级像差和电子束上靶角为目标,采用最小阻尼二乘法优化系统光学元件的位置、相对转角和相对激励强度等因素,将可应用于纳米曝光的扫描场增加到了250 微米。比较实验结果,基于JSM-35CF新线圈在频带和曝光性能上大大优于原线圈。在优化三级像差的基础上,探讨了五级像差的影响,分析了几种消除五级像差（指消除四极像差）的偏转器的像差性能和灵敏度;对偏转器的结构参数进行分析,为工程实现提供了良好依据。设计了一组长度不等的偏转器,当优化得到的相对强度为-1 时,系统具有最高的灵敏度,进而可以提高扫描速度。磁偏转系统的涡流效应很大程度上影响着系统速度和位置精度,基于涡流的产生机理,文章定量分析了涡流带来的误差,并提出了双层的、间隔均匀、相互交叠的屏蔽结构,该结构有效抑止了涡流、提高了偏转灵敏度,而且像差性能基本没有变差。（2）具有电子束垂直入射特性的、大扫描场纳米级聚焦偏转系统的探讨。通过对前部分的分析研究,提出了两个新的纳米级聚焦偏转系统。第一种是基于VAL（Variable Axis Lens）原理和优化设计方法的三偏转器聚焦偏转系统,该系统在1.0 毫米偏转场,1.8 毫弧度电子束孔径角时,包括三
孔祥东[9]（2005）在《电子束液态曝光技术的研究》文中研究说明随着微机电系统的深入研究和快速发展,需要能够精确产生复杂曲面和各种形状微结构的加工方法与之相适应。当前能够制作三维微结构的技术主要有体硅微加工技术、LIGA（Lithographie,Galvanoformung andAbformung）技术和IH（Integrated Harden Polymer Stereo Lithography）三维光刻技术。体硅微加工技术和LIGA技术能够制作高精度、高深宽比的陡直微细结构,却难于加工含有各种微曲面和结构较为复杂的器件;IH三维光刻技术从理论上能够加工出含有任意曲面和任意高深宽比的复杂微结构,但因其工艺中x、y向的扫描是靠X/Y工作台的机械移动来完成的,所以加工精度较低,分辨率目前仅能达到亚微米级。因此这些微三维加工技术不能很好的适应将来微机电系统的高速发展,需要寻求更好的加工手段。 电子束曝光技术是目前公认的最好的高分辨率图形制作技术,主要用于0.1～0.5μm的超微细加工。在实验室条件下,已能将电子束聚焦成尺寸小于2nm的束斑,实现了纳米级曝光。电子束具有波长短、易于控制、精度高、灵活性大等优点,目前主要用于精密二维掩膜制作,但还不能制作三维立体结构。因此本论文率先提出了一种国内外均未见报道的、能够将电子束曝光的高精度性能和IH工艺能加工任意复杂器件的性能结合起来,既能加工出任意复杂的微结构又能保证其亚微米级甚至更高精度的三维掩膜/模板加工新方法——电子束液态曝光技术（Electron Beam LiquidLithography,EBLL）。作为一项开创性的工作,本论文的主要工作是首次提出了基于电子束曝光机（Electron Beams Exposure System,EBES）的电子束固化曝光微三维成型技术,从理论和实验上对其可行性以及对电子束的能量和曝光剂量与固化厚度之间的关系进行了论证研究,并在SDS-II型电子束曝光机上完成了以液态TMPTA和Epoxy618为固化对象的电子束固化实验,得到了固化的十字型微结构,充分证明了电子束液态曝光技术是切实可行的。本论文的主要工作和创新点如下:
郭颖[10]（2004）在《基于DSP的新型图形发生器主控制器的研究》文中提出电子束曝光机是目前微细加工领域极具前途的一种光刻手段，是纳米级图形加工的理想方式。图形发生器是电子束曝光机的关键部件，本论文针对现有的图形发生器存在的主要问题，借鉴了当今国内外电子束曝光机图形发生器的长处与不足，采用DSP芯片作为图形数据处理的核心单元，提出了一套功能完备的新型扫描电子束曝光机图形发生器的硬件设计方案。 本论文分为五个章节主要介绍了电子束曝光技术的发展背景、图形发生器的工作原理与国内外现状、图形发生器的总体方案设计、图形发生器硬件电路设计（包括DSP数字信号处理电路、数据传输接口电路、存储器扩展电路、逻辑控制电路、标记检测控制电路、曝光控制电路和束闸控制电路）、电路调试与验证、CPLD控制软件设计与仿真等。 本方案具有数据处理能力强、运算速度快、接口方便等优点，克服了传统图形发生器单纯依靠软件完成，速度慢，精度低，工作不稳定的缺点。目前图形发生器硬件设计工作已基本完成。并通过调试成功的实现了DSP引导装载、存储器读写、接口数据传输与片上器件的逻辑控制等功能。
二、可变矩形电子束曝光机图形数据转换软件的实用化研制（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、可变矩形电子束曝光机图形数据转换软件的实用化研制（论文提纲范文）
（1）电子束光刻邻近效应校正技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 常用的邻近效应校正方法 |
| 1.2.2 三维邻近效应校正技术 |
| 1.3 本文的主要研究工作 |
| 1.4 论文的组织结构 |
| 第二章 图形内部邻近效应校正技术研究 |
| 2.1 邻近效应校正技术 |
| 2.1.1 电子束光刻技术 |
| 2.1.2 邻近效应的产生机理 |
| 2.1.3 邻近效应对电子束光刻的影响 |
| 2.2 邻近效应校正理论 |
| 2.2.1 能量沉积模型 |
| 2.2.2 电子束在抗蚀剂中的有效曝光剂量计算 |
| 2.3 邻近效应校正方法 |
| 2.3.1 累积分布函数在有效曝光剂量计算中的应用 |
| 2.3.2 内部邻近效应和相互邻近效应 |
| 2.3.3 图形内部邻近效应校正 |
| 2.4 内部邻近效应校正算法实现 |
| 2.4.1 内部替换校正模块 |
| 2.4.2 图形读入程序流程 |
| 2.4.3 校正条件设置模块详细设计 |
| 2.4.4 内部替换校正模块详细设计 |
| 2.5 小结 |
| 第三章 复杂图形邻近效应校正技术研究 |
| 3.1 集成电路中图形邻近效应校正 |
| 3.2 内部邻近效应和相互邻近效应 |
| 3.3 局部校正和全局校正 |
| 3.3.1 局部校正 |
| 3.3.2 全局校正 |
| 3.4 相互邻近效应校正的计算机模拟 |
| 3.5 快速邻近效应校正算法 |
| 3.5.1 重叠窗口算法 |
| 3.5.2 局部窗口校正算法 |
| 3.6 相互邻近校正模块 |
| 3.7 相互邻近校正模块详细设计 |
| 3.7.1 设计目标 |
| 3.7.2 算法描述 |
| 3.7.3 程序执行流程 |
| 3.8 小结 |
| 第四章 三维电子束光刻及仿真技术研究 |
| 4.1 三维电子束光刻技术应用 |
| 4.1.1 三维微细加工技术 |
| 4.1.2 三维电子束光刻技术研究 |
| 4.2 三维能量沉积分布模型 |
| 4.2.1 能量沉积密度在厚层抗蚀剂深度方向上的变化规律 |
| 4.2.2 分层的三维能量沉积分布模型 |
| 4.3 分层三维能量沉积模型的性能分析 |
| 4.3.1 厚层抗蚀剂分层计算性能分析与优化 |
| 4.3.2 重复增量扫描策略 |
| 4.4 三维电子束光刻的仿真技术研究 |
| 4.4.1 主要数据结构设计 |
| 4.4.2 模型数据结构 |
| 4.4.3 软件运行界面 |
| 4.5 三维电子束光刻相关实验分析 |
| 4.6 小结 |
| 第五章 总结 |
| 5.1 本文工作总结 |
| 5.2 下一步研究方向 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 |
| 致谢 |
（2）基于并行计算的电子束光刻邻近效应校正技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 常用的邻近效应校正方法 |
| 1.2.2 三维邻近效应校正技术 |
| 1.3 本文的主要研究工作 |
| 1.4 论文的组织结构 |
| 第二章 二维邻近效应校正技术 |
| 2.1 二维邻近效应校正技术研究背景 |
| 2.1.1 电子束光刻技术 |
| 2.1.2 邻近效应的产生机理 |
| 2.1.3 邻近效应对电子束光刻的影响 |
| 2.2 二维邻近效应校正技术理论 |
| 2.2.1 能量沉积模型 |
| 2.2.2 电子束在抗蚀剂中的有效曝光剂量计算 |
| 2.2.3 离散化数字信号处理模型 |
| 2.3 二维邻近效应校正技术实现 |
| 2.3.1 累积分布函数在有效曝光剂量计算中的应用 |
| 2.3.2 图形内部校正 |
| 2.3.3 图形间相邻校正 |
| 2.3.4 全局范围的邻近效应校正 |
| 2.4 二维电子束邻近效应校正实验结果 |
| 2.5 小结 |
| 第三章 三维电子束光刻仿真研究 |
| 3.1 三维电子束光刻技术研究的应用背景 |
| 3.1.1 三维微细加工技术 |
| 3.1.2 三维电子束光刻技术研究的意义 |
| 3.2 三维能量沉积分布模型 |
| 3.2.1 厚层抗蚀剂深度方向上能量沉积密度的变化规律 |
| 3.2.2 分层的三维能量沉积分布模型 |
| 3.2.3 重复增量扫描策略 |
| 3.2.4 三维能量沉积分布模型下的邻近效应校正 |
| 3.3 三维电子束光刻相关实验结果 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 并行计算在电子束光刻邻近效应校正中的应用研究 |
| 4.1 并行计算在邻近效应校正技术研究意义 |
| 4.2 并行计算介绍 |
| 4.2.1 集群技术简介 |
| 4.2.2 网格技术简介 |
| 4.3 并行程序设计的工具 |
| 4.3.1 MPI 编程 |
| 4.3.2 PVM 编程 |
| 4.3.3 HPF 编程 |
| 4.3.4 Open MP 编程 |
| 4.4 电子束光刻邻近效应校正并行算法设计 |
| 4.4.1 分而治之策略 |
| 4.4.2 电子束光刻邻近效应校正时间消耗分析 |
| 4.4.3 电子束光刻邻近效应校正并行算法设计 |
| 4.4.4 电子束光刻邻近效应校正并行计算实验结果 |
| 4.5 小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 |
| 致谢 |
（3）电子束重复增量扫描产生三维结构的关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 缩略词注释表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 微机电系统概述 |
| 1.1.1 微机电系统的概念及特点 |
| 1.1.2 微机电系统的研究领域 |
| 1.1.3 微机电系统的应用 |
| 1.1.4 微机电系统发展现状 |
| 1.1.5 微机电系统的前景 |
| 1.2 微细加工技术 |
| 1.2.1 硅微机械加工技术 |
| 1.2.2 LIGA技术 |
| 1.2.3 特种超精密微机械加工技术 |
| 1.3 本论文研究内容 |
| 1.3.1 论文的研究目的和意义 |
| 1.3.2 主要内容及创新点 |
| 1.3.3 内容安排 |
| 第二章 电子束三维光刻技术 |
| 2.1 电子束曝光技术 |
| 2.1.1 电子束曝光原理 |
| 2.1.2 电子束曝光特点 |
| 2.1.3 电子束曝光方式 |
| 2.1.4 电子束曝光的发展历史 |
| 2.1.5 电子束曝光系统 |
| 2.1.5.1 电子束曝光系统组成 |
| 2.1.5.2 电子束曝光系统分类 |
| 2.1.6 电子束曝光技术的应用 |
| 2.2 电子束微三维光刻技术 |
| 2.2.1 电子束液态曝光技术 |
| 2.2.2 电子束重复增量扫描曝光技术 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 电子束重复增量扫描方式的反应机理研究 |
| 3.1 抗蚀剂性能 |
| 3.1.1 抗蚀剂原理 |
| 3.1.2 抗蚀剂的一般特性 |
| 3.1.3 电子束抗蚀剂 |
| 3.2 重复增量扫描曝光方式反应机理研究 |
| 3.2.1 聚合物辐射的主要化学反应 |
| 3.2.2 辐射降解反应机理 |
| 3.2.3 曝光剂量与辐射降解程度间的关系 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 电子束能量、剂量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.1 电子束能量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.1.1 Monte Carlo模拟法 |
| 4.1.2 Grun射程公式 |
| 4.1.3 能量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.2 电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.2.1 抗蚀剂吸收能量密度的计算 |
| 4.2.1.1 解析法 |
| 4.2.1.2 Monte Carlo模拟法 |
| 4.2.2 曝光剂量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.2.3 用反差确定曝光剂量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.2.3.1 反差定义及计算 |
| 4.2.3.2 PMMA灵敏度定义及计算 |
| 4.2.3.3 曝光剂量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.2.3.4 实验结果分析 |
| 4.3 小结 |
| 第五章 电子束曝光图形数据处理 |
| 5.1 国内外电子束曝光图形数据处理概况 |
| 5.1.1 国外概况 |
| 5.1.2 国内概况 |
| 5.2 曝光图形的设计及注意事项 |
| 5.2.1 曝光图形的设计原则 |
| 5.2.2 L-Edit软件设计曝光图形 |
| 5.2.3 设计时的注意事项 |
| 5.3 曝光图形数据格式转换 |
| 5.3.1 常用数据格式 |
| 5.3.1.1 DXF数据格式 |
| 5.3.1.2 CIF数据格式 |
| 5.3.1.3 机器数据格式——DY51格式 |
| 5.3.1.4 中间数据格式 |
| 5.3.2 数据格式转换过程 |
| 5.3.3 曝光图形数据转换后的结果 |
| 5.4 DSP控制的电子束曝光图形发生器 |
| 5.4.1 DSP控制的图形发生器的工作原理 |
| 5.4.2 图形发生器的基本功能 |
| 5.5 曝光图形数据传输 |
| 5.5.1 PC机数据传输过程 |
| 5.5.2 通讯协议 |
| 5.5.3 人机界面 |
| 5.5.4 图形检验 |
| 5.6 小结 |
| 第六章 电子束三维光刻制作PCR微流控芯片微通道的工艺研究 |
| 6.1 PCR微流控芯片发展意义 |
| 6.1.1 PCR芯片 |
| 6.1.2 国内外研究现状 |
| 6.1.3 发展趋势 |
| 6.2 软刻蚀技术 |
| 6.2.1 软刻蚀技术基本原理 |
| 6.2.2 软刻蚀技术分类及应用 |
| 6.2.2.1 微接触印刷法 |
| 6.2.2.2 复制模塑法 |
| 6.2.2.3 微转移模塑法 |
| 6.2.2.4 毛细管微模塑法 |
| 6.2.2.5 辅助溶剂微模塑法 |
| 6.2.3 软刻蚀技术发展前景 |
| 6.3 重复增量扫描曝光方法加工PCR芯片微通道掩膜版 |
| 6.3.1 微通道结构优化设计 |
| 6.3.2 抗蚀剂图形制作工艺 |
| 6.3.3 实验结果分析 |
| 6.3.4 结论 |
| 6.4 利用软刻蚀技术制作微通道 |
| 6.5 小结 |
| 第七章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间完成的论文及参加的科研工作 |
| 致谢 |
（4）电子束光刻的三维加工和邻近效应校正技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 缩略词注释表 |
| 第一章绪论 |
| 1.1 微机电系统及微细加工技术 |
| 1.1.1 微机电系统概述 |
| 1.1.2 微细加工技术 |
| 1.2 电子束曝光技术 |
| 1.2.1 电子束曝光机组成 |
| 1.2.2 电子束曝光机的曝光原理 |
| 1.2.3 电子束抗蚀剂的特性 |
| 1.2.4 抗蚀剂图形制作工艺 |
| 1.2.5 邻近效应及校正 |
| 1.2.6 电子束曝光的计算机模拟 |
| 1.3 本论文研究内容 |
| 1.3.1 研究的目的和意义 |
| 1.3.2 论文的主要工作与技术创新点 |
| 1.4 论文的内容安排 |
| 第二章电子束重复增量扫描生成三维结构的研究 |
| 2.1 传统的电子束三维加工方法 |
| 2.1.1 低能变能量曝光 |
| 2.1.2 多层抗蚀剂工艺 |
| 2.1.3 变剂量加工 |
| 2.2 电子束重复增量扫描方式 |
| 2.2.1 基于DSP的新型图形发生器 |
| 2.2.2 重复增量扫描方式及曝光模型 |
| 2.2.3 曝光量计算 |
| 2.3 实验结果 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章抗蚀剂吸收能量密度的计算 |
| 3.1 散射效应 |
| 3.2 解析法 |
| 3.3 MONTE CARLO模拟法 |
| 3.3.1 电子在固体中的散射模型 |
| 3.3.2 抗蚀剂吸收能量密度的计算 |
| 3.4 邻近函数法 |
| 3.4.1 邻近函数 |
| 3.4.2 邻近函数参数的确定 |
| 3.4.3 改进的邻近函数 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章三维结构的邻近效应校正 |
| 4.1 邻近效应校正的工艺措施 |
| 4.1.1 改变入射电子束能量 |
| 4.1.2 改变抗蚀剂厚度 |
| 4.1.3 改变衬底材料 |
| 4.2 软件校正 |
| 4.2.1 二维校正 |
| 4.2.2 三维剂量校正 |
| 4.3 邻近效应计算 |
| 4.3.1 互易原理 |
| 4.3.2 图形能量密度的计算 |
| 4.4 重复增量扫描方式校正法 |
| 4.4.1 水平方向的校正 |
| 4.4.2 深度方向的校正 |
| 4.4.3 实验结果 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 三维结构显影的计算机模拟 |
| 5.1 显影速率模型 |
| 5.1.1 Dill方程 |
| 5.1.2 Greeneich方程 |
| 5.1.3 Mack方程 |
| 5.1.4 Notch方程 |
| 5.2 显影速率参数的确定 |
| 5.2.1 Gauss-Newton迭代法 |
| 5.2.2 遗传算法 |
| 5.2.3 结果分析 |
| 5.3 显影模型 |
| 5.3.1 阈值能量密度显影模型 |
| 5.3.2 单元格去除模型 |
| 5.3.3 绳模型 |
| 5.3.4 光线追迹模型 |
| 5.4 光线追迹模型的实现 |
| 5.4.1 算法实现 |
| 5.4.2 射线前进算法的改进 |
| 5.4.3 结果分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间完成的论文及参加的科研工作 |
| 致谢 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（5）纳米级电子束曝光系统用图形发生器技术研究（论文提纲范文）
| 一、 前言 |
| 二、 图形发生器软件系统 |
| 三、 图形发生器硬件架构 |
| 四、 曝光控制 |
| 五、 扫描场校正 |
| 六、 拼接和套刻 |
| 七、 实验结果 |
| 八、 总结 |
| 参考文献 |
| 发表论文 |
| 致谢 |
| 附录一 |
| 附录二 |
| 附录三 |
| 附录四 |
| 论文答辩说明 |
| 关于论文使用授权的说明 |
（6）扫描电子束曝光机背散射电子检测与对准技术的研究（论文提纲范文）
| 第一章 引言 |
| 1.1 电子束曝光技术 |
| 1.1.1 曝光技术 |
| 1.1.2 电子束曝光技术的发展历史和现状 |
| 1.1.3 电子束曝光系统的分类 |
| 1.2 扫描电子束曝光技术 |
| 1.3 扫描电子束曝光技术的研究现状 |
| 1.3.1 日本JEOL 公司 |
| 1.3.2 德国 Lecia-Cambridge 公司 |
| 第二章 课题的主要任务 |
| 2.1 课题背景 |
| 2.2 课题任务 |
| 第三章 背散射电子信号检测 |
| 3.1 背散射电子特性 |
| 3.1.1 背散射电子信号与二次电子信号的比较 |
| 3.1.2 背散射电子信号的特性 |
| 3.2 背散射电子检测电路的组成 |
| 3.2.1 背散射电子探测器 |
| 3.2.2 模拟信号处理电路 |
| 3.3 PCB 板设计中的防噪声措施 |
| 3.3.1 针对微小电压放大采取的抗干扰措施 |
| 3.3.2 大平面接地方式的PCB 板设计 |
| 3.3.3在装配工艺上的措施 |
| 3.3.4 关于电位器的注意事项 |
| 3.4 实验结果及结论 |
| 第四章 检测对准技术 |
| 4.1 检测对准技术 |
| 4.1.1 检测对准技术的作用 |
| 4.1.2 影响电子束曝光系统精度的因素 |
| 4.1.3 电子束曝光设备对准技术介绍 |
| 4.2 扫描电子束曝光机检测对准校 |
| 4.2.1 掩模版制作过程中的对准 |
| 4.2.2 电子束直接曝光的对准 |
| 第五章扫描场畸变校正 |
| 5.1 线性畸变校正及软件设计 |
| 5.1.1 线性畸变校正原理 |
| 5.1.2 图形发生器 |
| 5.1.3 校正软件流程图 |
| 5.1.4 场的拼接实验 |
| 5.2 非线性畸变的类型及校正方法 |
| 5.2.1 非线性畸变的类型 |
| 5.2.2 非线性畸变的校正方法 |
| 第六章结论 |
| 6.1 课题的特点 |
| 6.2 课题的进展 |
| 6.3 课题的深入研究 |
| 附录一 校正软件部分源程序 |
| 附录二 校正电PCB 原理图 |
| 附录三 校正电路PCB 图 |
| 附录四 校正电路PCB 板 |
| 参考文献 |
| 发表文章 |
| 致谢 |
（7）Ee～-BES-40A光栅扫描电子束曝光机控制系统的改进研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 集成电路的发展现状和发展趋势 |
| 1.2 微机电系统的发展 |
| 1.2.1 概念 |
| 1.2.2 微机电系统的特点及应用 |
| 1.2.3 国内外研究现状 |
| 1.3 电子束曝光技术 |
| 1.3.1 电子束曝光技术特点 |
| 1.3.2 电子束曝光技术的应用 |
| 1.3.3 电子束曝光技术的限制 |
| 第二章 电子束曝光机 |
| 2.1 电子束曝光机的发展历史及现状 |
| 2.1.1 国外发展状况 |
| 2.1.2 国内发展状况 |
| 2.2 电子束曝光机的原理及组成 |
| 2.2.1 电子束曝光机的组成 |
| 2.2.2 电子束曝光机的曝光原理 |
| 2.3 电子束曝光机的扫描方式 |
| 2.3.1 光栅扫描 |
| 2.3.2 矢量扫描 |
| 第三章 Ee~-BES-40A电子束曝光系统 |
| 3.1 系统简介 |
| 3.1.1 概况 |
| 3.1.2 主要单元 |
| 3.2 曝光主机系统硬件 |
| 3.2.1 光学系统 |
| 3.2.2 电子枪 |
| 3.2.3 电子光主体 |
| 3.2.4 工作室、工作台及其驱动 |
| 3.2.5 激光干涉定位系统 |
| 3.2.6 换片机构 |
| 3.2.7 真空系统 |
| 3.2.8 空气悬浮系统 |
| 3.3 控制台系统硬件 |
| 3.3.1 Eclipse计算机 |
| 3.3.2 主终端和辅助终端 |
| 3.3.3 微控(Minicon)和图形存储器 |
| 3.3.4 工件台控制接口和伺服放大器 |
| 3.3.5 通用I/O接口 |
| 3.3.6 换片机构控制器 |
| 3.3.7 离子泵控制器 |
| 3.3.8 电子束控制单元 |
| 3.3.9 电源 |
| 3.4 刻写系统 |
| 3.4.1 条带 |
| 3.4.2 位图 |
| 3.4.3 地址 |
| 3.5 软件系统简介 |
| 3.5.1 Eclipse:系统控制器 |
| 3.5.2 RDOS |
| 3.5.3 CLI |
| 3.5.4 文件 |
| 3.5.5 数据处理软件 |
| 3.6 Ee~-BES-40A光栅扫描曝光机的性能分析 |
| 第四章 Ee~-BES-40A工件台扫描控制系统 |
| 4.1 控制系统 |
| 4.2 工件台扫描系统组成 |
| 4.3 控制原理及过程 |
| 4.3.1 控制原理 |
| 4.3.2 控制过程 |
| 4.4 工件台控制接口 |
| 4.4.1 控制接口 |
| 4.4.2 I/O板 |
| 4.4.3 控制板 |
| 4.4.4 轴板 |
| 4.3.5 速度板 |
| 4.4.6 激光接口板和消息单元板 |
| 4.3.7 电压鉴别板 |
| 4.3.8 终端和读出(T&R)板 |
| 第五章 图形发生器及接口设计 |
| 5.1 Ee~-BES-40A电子束曝光机的光栅扫描图形生成系统 |
| 5.1.1 微控制器的控制功能 |
| 5.1.2 微控制器的组成和指令格式 |
| 5.1.3 接口电路 |
| 5.1.4 图形存储器 |
| 5.2 矢量扫描图形发生器原理及实现 |
| 5.2.1 图形发生器原理 |
| 5.2.2 图形发生器数据信号 |
| 5.3 接口设计 |
| 5.3.1 ISA总线标准 |
| 5.3.2 端口 |
| 5.3.3 关于干扰 |
| 结束语 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（8）纳米级电子束曝光机聚焦偏转系统的研究（论文提纲范文）
| 第一章 绪论 |
| 1.1 微纳米加工与曝光技术 |
| 1.2 国内外电子束曝光技术的状况和应用 |
| 1.3 电子束曝光技术的应用及问题 |
| 1.4 基于扫描电镜的纳米级电子束曝光系统研究的意义及存在的问题 |
| 1.5 聚焦偏转系统的作用及其概要 |
| 1.6 论文的选题及工作 |
| 1.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第二章 聚焦偏转系统的电子光学理论 |
| 2.1 物镜、偏转器及校正元件的空间场 |
| 2.2 聚焦偏转系统的光学性能计算 |
| 2.3 聚焦偏转系统的五级像差分析 |
| 2.4 聚焦偏转系统的优化 |
| 2.5 小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 JSM-35CF 电镜的电子光柱性能及相关研究 |
| 3.1 JSM-35CF 电镜的电子光学柱结构和性能 |
| 3.2 基于JSM-35CF 电镜的聚焦偏转系统的优化仿真计算 |
| 3.3 偏转系统的五级像差 |
| 3.4 磁聚焦偏转系统的涡流抑止 |
| 3.5 几种常见静电偏转器的性能及其比较 |
| 3.6 小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 基于JSM-35CF 的纳米级聚焦偏转系统 |
| 4.1 聚焦偏转系统计算 |
| 4.2 偏转器安装调整 |
| 4.3 精度和误差分析 |
| 4.4 实验结果 |
| 4.5 小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 大扫描场纳米级聚焦偏转系统的探讨 |
| 5.1 纳米级电子束曝光机聚焦偏转系统设计的一般原理 |
| 5.2 基于VAL 原理和优化设计方法的纳米级聚焦偏转系统的研究 |
| 5.3 双物镜双偏转器的纳米级聚焦偏转系统 |
| 5.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 需进一步研究的问题 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 |
| 致谢 |
（9）电子束液态曝光技术的研究（论文提纲范文）
| 原创性声明 |
| 关于学位论文使用授权的声明 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 缩略词注释表 |
| 第一章 微机电系统及其微细加工技术 |
| §1.1 微机电系统的发展及应用 |
| §1.1.1 微机电系统的概念 |
| §1.1.2 微机电系统的发展及国内外研究现状 |
| §1.1.3 微机电系统的主要研究内容 |
| §1.1.4 微机电系统的应用 |
| §1.2 微细加工技术 |
| §1.2.1 硅微机械加工 |
| §1.2.2 LIGA工艺 |
| §1.2.3 IH工艺 |
| §1.2.4 EFAB工艺 |
| §1.2.5 CELT工艺 |
| §1.2.6 3D电化学微加工工艺 |
| §1.2.7 硅膜工艺 |
| §1.2.8 结论 |
| §1.3 本论文研究内容 |
| §1.3.1 论文工作的目的和意义 |
| §1.3.2 论文的主要工作与技术创新点 |
| §1.3.3 论文的内容安排 |
| 第二章 电子束液态曝光技术 |
| §2.1 电子束曝光技术发展历史 |
| §2.1.1 国外发展状况 |
| §2.1.2 国内发展状况 |
| §2.2 电子束曝光技术 |
| §2.2.1 电子束曝光机的组成 |
| §2.2.2 电子束曝光机的曝光原理 |
| §2.2.3 电子束曝光的方式 |
| §2.2.4 电子束曝光的特点 |
| §2.2.5 电子束曝光技术的应用 |
| §2.3 电子束液态曝光技术 |
| §2.3.1 电子束液态曝光技术 |
| §2.3.2 实现方法的可行性分析 |
| 第三章 电子束液态曝光的真空环境研究 |
| §3.1 真空的基本概念 |
| §3.1.1 真空的定义 |
| §3.1.2 真空的表示方法 |
| §3.1.3 真空的特点 |
| §3.1.4 真空区域的划分 |
| §3.1.5 真空技术的应用 |
| §3.1.6 真空系统的获得和测量 |
| §3.2 真空中电子的平均自由程研究 |
| §3.2.1 分子的平均自由程计算 |
| §3.2.2 以同一速度运动的分子束之间碰撞频率的计算 |
| §3.2.3 平均自由程与速度的关系研究 |
| §3.2.4 高速电子的平均自由程计算 |
| §3.2.5 自由程长度的分布率研究 |
| §3.2.6 SDS-Ⅱ型曝光机的真空度需求研究 |
| §3.3 液体的真空气化研究 |
| §3.3.1 液体气化影响因素的研究 |
| §3.3.2 液态抗蚀剂的选取方法 |
| §3.3.3 液态抗蚀剂的真空气化实验 |
| §3.4 小结 |
| 第四章 抗蚀剂曝光反应机理及曝光能量、剂量需求研究 |
| §4.1 电子束辐射固化机理研究 |
| §4.1.1 电子束辐射固化的概念 |
| §4.1.2 电子束辐射固化机理研究 |
| §4.2 电子束辐射固化能量和剂量需求研究 |
| §4.2.1 电子束曝光能量需求研究 |
| §4.2.2 电子束曝光剂量需求研究 |
| §4.2.3 结论 |
| §4.3 电子束液态曝光实验 |
| §4.3.1 实验部分 |
| §4.3.2 实验结果与分析 |
| §4.3.3 实验结论 |
| §4.4 小结 |
| 第五章 电子束固化厚度影响因素的研究 |
| §5.1 流体的基本知识 |
| §5.1.1 流体的黏性 |
| §5.1.2 静止流体的平衡微分方程 |
| §5.1.3 达朗贝尔原理 |
| §5.2 甩胶台转速、液体黏度与涂层厚度之间的关系研究 |
| §5.2.1 甩胶原理研究 |
| §5.2.2 胶层厚度与转速、黏度之间的关系研究 |
| §5.3 固化深度与电子束能量、剂量之间的关系研究 |
| §5.3.1 Monte Carlo模拟法计算穿透深度和能量吸收密度 |
| §5.3.2 解析法计算穿透深度和能量吸收密度 |
| §5.3.3 模拟计算和实验结果 |
| §5.4 小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间完成的论文及参加的科研工作 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（10）基于DSP的新型图形发生器主控制器的研究（论文提纲范文）
| 第一章 课题背景 |
| 一、 IC产业与微细加工: |
| 二、 曝光技术的主要研究领域 |
| 2.1 、 光学曝光 |
| 2.2 、 极紫外曝光 |
| 2.3 、 电子束曝光 |
| 2.4 、 X光曝光(XRL) |
| 2.5 、 离子束曝光 |
| 2.6 、 小结 |
| 三、 电子束曝光技术的历史及现状 |
| 第二章 课题内容 |
| 一、 问题的提出 |
| 1.1 、 图形发生器的重要性 |
| 1.2 、 图形发生器的历史与发展趋势 |
| 二、 设计思路 |
| 三、 开发步骤 |
| 四、 图形发生器系统硬件方案 |
| 4.1 、 数字信号处理单元 |
| 4.2 、 接口单元 |
| 4.3 、 标记检测控制单元 |
| 4.4 、 电子束控制单元 |
| 4.5 、 束闸控制单元 |
| 第三章 DSP核心电路设计 |
| 一、 DSP核心电路功能 |
| 二、 DSP芯片选型 |
| 2.1 、 DSP主流产品性能比较 |
| 2.2 、 芯片选型 |
| 三、 TMS320C6713芯片介绍 |
| 3.1 、 TMS320C6713硬件结构(图3.2) |
| 3.2 、 TMS320C6713性能指标 |
| 3.3 、 TMS320C6713地址分配 |
| 四、 TMS320C6713核心电路设计 |
| 五、 DSP软件设计 |
| 5.1 、 开发工具 |
| 5.2 、 开发流程图 |
| 第四章 DSP外围电路设计 |
| 一、 系统电源及复位设计 |
| 1.1 、 系统供电设计 |
| 1.2 、 电源监控设计 |
| 1.2.1 、 电源监控在高速电路板中的重要性 |
| 1.2.2 、 芯片的选用 |
| 1.2.3 、 电路连接 |
| 1.3 、 复位电路设计 |
| 二、 外部存储器扩展电路设计 |
| 2.1 、 TMS320C6713外部存储器接口(EMIF) |
| 2.1.1 、 EMIF接口特点 |
| 2.1.2 、 EMIF控制寄存器 |
| 2.2 、 ROM扩展 |
| 2.2.1 、 芯片选择 |
| 2.2.2 、 TMS320C6713与AM29LV800B的接口设计 |
| 2.2.3 、 自举逻辑控制 |
| 2.3 、 RAM扩展 |
| 2.3.1 、 RAM器件的选择 |
| 2.3.2 、 MT48LC4M16A2的结构特性 |
| 2.3.3 、 TMS320C6713与SDRAM之间的接口方案 |
| 2.3.4 、 SDRAM配置 |
| 三、 USB通讯接口设计 |
| 3.1 、 接口电路功能 |
| 3.2 、 接口芯片选择 |
| 3.3 、 CY7C68013结构及特性 |
| 3.4 、 接口电路设计 |
| 3.5 、 初始化列举过程 |
| 四、 标记检测单元 |
| 五、 曝光与束闸控制单元 |
| 第五章 实验与结论 |
| 一、 实验装置 |
| 二、 系统调试 |
| 三、 逻辑控制仿真 |
| 四、 接口数据传输 |
| 五、 总结与深入 |
| 5.1 、 课题总结 |
| 5.2 、 课题的深入研究 |
| 参考文献: |
| 致谢 |
| 论文答辩说明 |
| 关于论文使用授权的说明 |
四、可变矩形电子束曝光机图形数据转换软件的实用化研制（论文参考文献）
- [1]电子束光刻邻近效应校正技术研究[D]. 赵真玉. 中国石油大学, 2010(02)
- [2]基于并行计算的电子束光刻邻近效应校正技术研究[D]. 杨瑞. 中国石油大学, 2010(04)
- [3]电子束重复增量扫描产生三维结构的关键技术研究[D]. 卢文娟. 山东大学, 2007(08)
- [4]电子束光刻的三维加工和邻近效应校正技术研究[D]. 郝慧娟. 山东大学, 2007(03)
- [5]纳米级电子束曝光系统用图形发生器技术研究[D]. 刘伟. 中国科学院研究生院（电工研究所）, 2006(09)
- [6]扫描电子束曝光机背散射电子检测与对准技术的研究[D]. 李晨菲. 中国科学院研究生院（电工研究所）, 2005(06)
- [7]Ee～-BES-40A光栅扫描电子束曝光机控制系统的改进研究[D]. 王颖. 山东大学, 2005(08)
- [8]纳米级电子束曝光机聚焦偏转系统的研究[D]. 刘珠明. 中国科学院研究生院（电工研究所）, 2005(06)
- [9]电子束液态曝光技术的研究[D]. 孔祥东. 山东大学, 2005(01)
- [10]基于DSP的新型图形发生器主控制器的研究[D]. 郭颖. 中国科学院研究生院（电工研究所）, 2004(04)