一、纳米硫化锌的原位制备及其对多孔硅复合体系发光的调控(论文文献综述)
姚树山[1](2020)在《自支撑NiCo2O4/NF电极材料形貌调控及电化学性能研究》文中研究指明电极材料作为超级电容器的重要组成部分,是决定超级电容器电化学性能的主要因素。因此,设计和制备更高性能的电极材料,具有十分重要的意义。尖晶石钴酸镍(Ni Co2O4)除具备一般过渡金属氧化物的优良电化学性能外,还具有成本低、环境友好、资源丰富等优点,成为目前开发设计超级电容器电极材料的一种重要材料。然而传统方法多采用将制备好的Ni Co2O4纳米粉体电极活性材料用高分子粘结剂,通过涂敷粘结压制在集流体上。这不仅增加了工艺和成本,而且会破坏Ni Co2O4的微纳结构,从而影响其电化学活性,还会造成因粘接剂的绝缘性以及对导电剂的包覆,从而大大降低电极材料的导电性,影响其整体电化学性能;同时,Ni Co2O4电化学性能与其形貌结构直接相关,然而,传统方法制备的Ni Co2O4存在易发生团聚,形貌不易控等问题,使其存在产品利用率低、导电性差、倍率性差等缺点;更重要的是,粘结剂所赋予电极活性材料与集流体之间的粘结力很弱,随着充放电过程的进行,电极材料很容易从集流体上脱落下来,这将导致循环稳定性差;以上几点成为制约Ni Co2O4作为电极材料的瓶颈。本文以Ni Co2O4为研究对象,在泡沫镍集流体上直接“原位生长”微纳阵列结构的Ni Co2O4;并结合表面活性剂作为软模板特有的微反应器“可控生长”原理,进一步实现由“随机原位生长”向“可控原位生长”发展,调控制备出了系列具有不同维度、不同形貌、结构新颖的无粘接剂自支撑Ni Co2O4/泡沫镍(NF)复合电极材料;系统研究了不同表面活性剂和反应条件对材料的形貌、结构及其电化学性能的调控作用,并探究了其可控生长机理。(1)实现了直接在泡沫镍上“原位生长”微纳结构的Ni Co2O4,成功制备出了无粘接剂的Ni Co2O4/NF自支撑复合电极材料。系统研究了反应温度和时间对材料的形貌、结构及其电化学性能的调控作用,并探索了生长机理。结果表明:在80℃、120℃和140℃下,生成的Ni Co2O4形貌为纳米片状阵列结构;而在100℃和160℃下生成由纳米片Ni Co2O4自组装成微米花状阵列结构。反应时间对形貌、结构的调控作用更为明显:反应4 h时,生成纳米片状结构;反应6 h时,生成纳米花状结构;反应8 h和10 h时,在片状结构上生长出纤维,并生成了具有多级结构的仙人掌状形貌,且反应时间越长,掌上生长的纤维越茂密粗壮。电化学性能研究显示:纳米片微米花状和仙人掌状三维结构的Ni Co2O4/NF具有更大的比电容量,更好的循环稳定性;用微米花状结构Ni Co2O4材料作为电化学检测电极可以同时检测水中Hg2+和Cu2+离子,且具有较高的检测灵敏度(29.8μA/μM)和较低的检测下限(0.00991μM);经过10次循环测试后,原始电流峰值依旧可以保持97.6%,具有优良的稳定性。这些结果显示三维结构的Ni Co2O4/NF自支撑复合电极材料在超级电容器和电化学检测金属离子领域具有良好的应用前景。(2)创新性引入新型表面活性剂作为软模板剂特有的“微反应器”“可控生长”原理与“原位生长”相结合,成功实现了在泡沫镍上“可控原位生长”微纳结构的Ni Co2O4。调控制备出了系列具有不同维度、不同形貌、电化学性能优良的自支撑Ni Co2O4/NF复合电极材料。系统研究了表面活性剂种类、结构以及反应条件变化对制备材料的形貌、结构及其电化学性能的调控规律和生长机理。研究显示:加入阴离子表面活性剂K12可以调控生成不同尺寸的纤维状、纤维微球状结构;加入AES可以调控生成不同尺寸的片状、纤维状结构。加入阳离子表面活性剂DMHAC10可以调控生成片状、仙人掌状、纤维状结构;加入新型Gemini阳离子表面活性剂(GC-A)可以生成片状、仙人球状、海胆状、纤维状结构。而加入非离子表面活性剂,则不能在NF上原位生长Ni Co2O4。研究表明:在反应条件为120℃、6 h下,加入GC-A制备的仙人球状的三维多级结构Ni Co2O4/NF复合材料,具有更高的比电容量(4.74 F/cm2,是不加表面活性剂时2.40 F/cm2的1.98倍)、良好的充放电倍率性、较小的阻抗和更好的循环稳定性等优异电化学性能。为精准设计高性能的Ni Co2O4/NF复合电极材料提供了一种新策略。(3)在实现原位生长的基础上,致力于多元金属氧化物自支撑复合电极材料的可控制备方法研究。将具有高比容量、优良电化学活性的Ni Co2O4与具有短扩散路径、优良充放电速率、较高理论比电容值的金属氧化物Co3O4“强强联合”,用Ni Co2O4原位生长修饰Co3O4/NF,成功制备出可控构筑三维纳米线状多级结构的Ni Co2O4@Co3O4/NF复合材料。结果显示:Ni Co2O4@Co3O4/NF复合材料具有更好的电化学存储性能(比电容达到1075 F/g),更好的电化学放电倍率(充电密度增加5倍,比电容不降反增102.4%)和长期循环稳定性(循环2000次后比电容仍保持92.6%),这些结果为进一步优化Ni Co2O4电化学性能提供了新思路。
刘婷婷[2](2016)在《以超支化聚合物为模板制备硫化锌和二氧化硅及性能研究》文中进行了进一步梳理纳米硫化锌作为Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体化合物,在平板显示器、太阳能电池、发光二极管、光催化、传感器等诸多领域应用广泛。介孔二氧化硅具有孔道尺寸可控、热稳定性和化学稳定性优异等特点,在催化化学、传感器和分子识别等领域具有良好的应用前景。传统的嵌段聚合物模板技术难于控制硫化锌和二氧化硅的形貌,限制其应用领域。超支化聚合物是一种具有高度不规整的支化结构、三维立体、内部有空穴的特殊大分子聚合物,其独特的结构可螯合离子、吸附小分子,也可作为小分子反应器,同时其表面大量活性端基可进行功能化改性。本文以超支化聚合物为模板制备硫化锌和二氧化硅,并研究形貌可控性、尺寸稳定性和性能,详细研究内容如下:(1)以乙二胺、二乙烯三胺和丙烯酸甲酯为主要原料制备了4种不同分子量的端氨基超支化聚酰胺(AEHPA),通过红外光谱和核磁谱图表征了AEHPA的结构。以第二代端氨基超支化聚酰胺(AEHPA-2)为模板,利用水热法制备纳米硫化锌,研究了AEHPA-2的用量、反应温度、反应物配比和反应时间等因素对纳米硫化锌形貌的影响,获得了球形、立方形和菜花形三种形貌的纳米硫化锌,通过XRD、XPS、PL光谱等技术表征了它们的结构、表面元素构成和光学特性。研究了以4种不同分子量的AEHPA为模板制备尺寸可控的球形纳米硫化锌,通过SEM、XRD、XPS、PL光谱等手段研究了AEHPA分子量对纳米硫化锌形貌、结构和光学性质的影响规律,并探索了不同分子量AEHPA制备的纳米硫化锌的光催化降解性能,结果显示以AEHPA-2为模板制备的纳米硫化锌在光催化降解罗丹明B溶液的效果最好。(2)以AEHPA和P123为双模板剂,以正硅酸四乙酯(TEOS)为硅源制备介孔二氧化硅。研究了AEHPA的用量、分子量对介孔二氧化硅形貌的影响规律,通过XRD和物理吸附-脱附测试了介孔二氧化硅结构和孔径。结果表明:在一定范围内,增加AEHPA的用量可增大介孔二氧化硅的比表面积,其总孔容和BJH孔径也有一定变化。当加入AEHPA-2时,介孔二氧化硅的比表面积增加明显、总孔容略有增加、BJH孔径略有减小。在不添加AEHPA的条件下,制备的介孔二氧化硅的比表面积为634.9m2g-1、总孔容为1.31cm3g-1、BJH孔径为7.40 nm,。当AEHPA-2与P123的质量之比为2.5:1时,介孔二氧化硅的比表面积将达到927.7m2g-1、总孔容为1.42cm3g-1、BJH孔径为6.10nm。分别以AEHPA-1,AEHPA-2和AEHPA-3为模板制备介孔二氧化硅,研究表明随着AEHPA的分子量增加,二氧化硅的比表面积、孔容和BJH孔径都将减小。在AEHPA与P123的质量之比为2:1的条件下,以AEHPA-1为模板制备的介孔二氧化硅的比表面积最大,为916.9m2g-1、总孔容为1.41cm3g-1、BJH孔径为6.15 nm,而以AEHPA-3为模板制备的介孔二氧化硅比表面积仅为671.4m2g-1、总孔容为0.98cm3g-1、BJH孔径为5.82 nm。(3)以AEHPA-2为模板、乙醇和水为介质、正硅酸乙酯为硅源,通过溶胶-凝胶法制备了介孔二氧化硅,通过TEM、XRD和物理吸附-脱附测试了介孔二氧化硅的形貌、结构和孔径特征,结果表明介孔二氧化硅比表面积、孔容和孔径都较高,且孔径分布窄,得到的介孔二氧化硅比表面积为487.4 m2g-1、总孔容为0.37 cm3g-1、BJH孔径为3.04 nm。(4)以端羧基超支化聚酯(HyPerC102)为模板、二氧六环和氨水为介质、正硅酸乙酯为硅源制备了多孔二氧化硅微球,通过TEM和物理吸附-脱附测试了二氧化硅微球的形貌和孔径特征,探讨了HyPerC102用量、蒸馏水的用量、氨水和水的配比、TEOS用量等因素对二氧化硅微球形貌的影响。结果表明在不添加端羧基超支化聚酯时,合成的二氧化硅微球直径约为500 nm,为无孔结构,当加入HyPer C102后制备的二氧化硅微球直径降到200 nm,有明显的孔结构,比表面积为15.18 m2g-1、总孔容为为0.05558 cm3g-1、BJH孔径为14.65 nm。
张孝杰[3](2010)在《改性ZnS光催化剂的制备及其选择性吸附/光降解环丙沙星行为研究》文中认为由于抗生素的残留容易导致细菌的耐药性以及对人和其他动物产生致癌致畸和基因突变的危害。目前抗生素所造成水环境污染的以及所引起的危害已引起国内外广泛关注。现有的污水处理技术不能有效的将其从水体中除去,半导体光催化技术具有操作简单、能耗低、适用范围广、避免二次污染、处理效率高等优点成为研究的热点。ZnS是常用的光催化剂材料,但是由于其自身的局限性,在可见光下的催化活性低加之不具有选择性降解的性能,限制了它在光催化领域的应用范围。因此采取离子掺杂或者分子印迹改性的手段来扩展其在光催化领域的应用范围。本文选取氟喹诺酮类(FQs)环丙沙星(CIP)为主要研究对象,CIP是一种广泛使用的第3代氟喹诺酮类药物,具有抗菌光谱、作用强等特点,多用于治疗胃肠和呼吸系统感染疾病,由于其在环境中的残留所导致的毒副作用以及诱导细菌产生耐药性和对其他生物产生致基因突变问题引起广泛关注,必须采用合适的方法降解环境中残留的CIP。本研究的主要工作内容有:(1)以水热合成方法,在聚乙烯比咯烷酮(PVP)作为表面活性剂,制备了粒径均匀、分散性好ZnS微米球。考察了ZnS光催化剂在紫外光下降解CIP和加替沙星(GAT)的效率。实验结果表明,所制备的ZnS在紫外光照60 min后,对CIP和GAT的降解率分别为77.4%和75.6%,然而在可见光的引发下,ZnS对污染物的降解效率很低。(2)制备不同过渡金属离子如Cu2+、Co2+、Mn2+、Fe3+对ZnS的掺杂改性光催化剂。通过DRS光谱分析,改性后的ZnS光催化剂相对于ZnS其光吸收范围明显的发生红移,结果表明改性后的ZnS在可见光下的催化活性都有不同程度的提高,其中经Fe3+掺杂的ZnS光催化活性最高,对CIP的降解率可以达到90%以上。(3)将表面分子印迹技术(SMIT)和光催化技术有机的结合起来,实验以CIP为模板分子,α-甲基丙烯酸(MAA)为功能单体,经丙烯酰胺改性后的ZnS为载体,乙二醇二甲基丙烯酸酯(EGDMA)为交联剂,偶氮二异丁腈(AIBN)作为引发剂,利用SMIT在甲醇和甲苯作溶剂和致孔剂的条件下,通过改变CIP和MAA之间的配比关系,制备了不同的CIP印迹光催化剂。采用FT-IR、SEM、XRD、DRS等手段对MIP的表面微观形貌和结构进行表征;考察了不同MIP对CIP和非模板分子的吸附行为以及印迹和NIP在混合溶液中对CIP的吸附选择性能,比较了MIP和NIP对CIP的吸附容量,并讨论了吸附过程的动力学和等温线模型。考察了光催化剂的活性,结果表明当CIP与MAA的比为1:6时,催化剂用量为1.5 g L-1时,其对CIP的可见光催化降解效率最高;实验中还详细研究了MIP对CIP的降解动力学模型和降解二元体系组分时对CIP的优先吸附/降解性能。
井利利[4](2010)在《原位合成法制备联二脲/蒙脱土纳米复合材料》文中提出本研究通过原位合成的方法,把具有天然纳米结构的蒙脱土(Mont.)硅酸盐片层空间作为微反应场所,通过小分子反应原位生成联二脲(BU)。即采用溶液插层法先将尿素(Urea)分子直接插入Mont.层间,形成尿素/蒙脱土复合物(Urea/Mont.),再加入适量的水合肼,二者在层间反应合成联二脲,从而制得联二脲/蒙脱土(BU/Mont.)纳米复合材料。用X射线衍射(XRD)对插层蒙脱土纳米复合材料进行表征。结果表明钙基蒙脱土原土的层间距为1.51 nm, Urea/Mont.层间距为1.67 nm,BU/Mont.层间距为1.71 nm,相比Urea/Mont.又发生膨胀,说明蒙脱土层间距的增大有了比尿素分子更大的客体分子形成。而水合肼/蒙脱土复合物(HMI)的层间距相比Mont.原土减小了0.23-0.28 nm,这是由于水合肼以离子态进入,与蒙脱土层间的钙离子发生离子交换,其离子尺寸小于钙离子的缘故。固体核磁共振(NMR)结果表明样品在13C和15N谱图上的共振峰Urea/Mont.为162.4 ppm和77.7 ppm; BU/Mont.分别为163.5 ppm及103.4 ppm、76.3 ppm,相比纯BU在13C谱上的163.2 ppm和15N谱103.9 ppm、76.8 ppm共振峰,有一定的偏移。这确认原位生成了联二脲,NMR共振峰的偏移是因为BU在层间形成后与主体材料Mont.发生了氢键作用。在红外谱图(FT-IR)中,可以观测到BU/Mont.中BU的C=O和N-H伸缩振动峰,这是由于与Mont.层板间的氢键作用力导致它们的伸缩振动峰分别由1688 cm-1红移到1665 cm-1,3397,3305 cm-1蓝移至3407,3334 cm-1。热分析(TG-DTA)结果表明BU分子在Mont.层间形成后,分散性增强。在243-270℃和270-348℃范围内有两个失重平台,分别失重17.6%和30.5%。相比纯的BU第一个熔化分解吸热峰和第二个分解产物之间副反应的吸热峰都降低了10℃左右。
王玲[5](2008)在《离子液体的合成与应用》文中研究指明近年来,离子液体的研究日趋活跃,因其具有几乎可忽略的饱和蒸气压、低毒、宽的液相范围和电化学窗口、对有机物和无机物有良好的溶解性等特殊性能,已被广泛地应用于有机合成、分离、电化学和无机物的制备中。在本论文中,我们合成了几种离子液体,并以离子液体为反应介质合成了氯化亚铜、硫化锌和硫化镉,并对反应后的离子液体进行了回收、表征和再利用的研究。利用X-射线衍射(XRD)表征样品的结构;用透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)观测样品的粒径和微观形貌;用紫外-可见光谱(UV-Vis)和荧光光谱(PL)表征样品的光学性能、能带宽度和粒径大小。XRD和TEM分析揭示了以离子液体为反应溶剂的体系中,目标产物达到纳米级,且离子液体的应用对纳米化合物的结晶度和样品的颗粒大小有一定的影响。SEM分析表明离子液体对目标产物的形貌起到了修饰作用。UV-Vis分析表明在离子液体/水的反应体系中得到的目标产物的吸收峰位向短波方向偏移,表现出了明显的蓝移,展现了纳米材料的量子尺寸效应。PL分析表明在离子液体/水的反应体系中得到的目标产物发光强度有不同程度的增强。众所周知,在水溶液中,CuⅡ(φCu2+/Cu+/V=+0.17),CuⅠ(φCu+/Cu/V=+0.521),因此氯化亚铜易歧化,但在离子液体中却合成了氯化亚铜纳米晶,这为解决传统工业生产氯化亚铜中大量的无机酸等给环境带来的影响提供了一种经济而环保的可行的方法。在硫化锌和硫化镉的合成中,以硫化钠为硫源,反应速度快,易于生产硫化物,离子液体的辅助作用使样品粒径达到纳米级,同时,目标产物发光强度有不同程度的增强。本文对样品的合成机理也进行了初步的探讨。
刘红娟[6](2008)在《CdS、ZnS及ZnXCd1-XS纳米材料的制备与表征》文中进行了进一步梳理近年来,纳米半导体微粒已经吸引了科学家们的广泛关注。作为ⅡB-ⅥA族中重要的半导体纳米材料,CdS、ZnS具有不同于其体相材料的物理和化学性质,在许多领域有潜在的应用。因此,对这些半导体纳米微粒的合成方法的研究在国内外已经成为一个非常活跃的领域。在本文中,我们用简单经济的化学方法成功地在液相中合成,得到了CdS、ZnS半导体纳米微粒和复合结构ZnXCd1-XS纳米微粒。其合成路线为,以溶剂无水乙醇为反应介质,浓度为0.002 mol·L-1的乙酸镉和乙酸锌、0.004 mol·L-1的硫脲为反应前驱体,不同浓度的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为大分子表面活性剂,整个体系在持续的强磁力搅拌下保持在乙醇回流温度下反应,分别制备得到了CdS和ZnS半导体纳米微粒。改变反应前躯体乙酸锌与乙酸镉的化学计量比,制备得到复合结构的ZnXCd1-XS纳米微粒。在N,N-二甲基甲酰胺为介质的体系中,反应恒温在100℃进行,同样得到了CdS、ZnS纳米半导体及复合结构ZnXCd1-XS纳米微粒。利用紫外-可见吸收光谱、荧光光谱、透射电子显微镜、X-射线衍射等测试手段对合成的CdS、ZnS半导体纳米微粒及复合结构ZnXCd1-XS纳米微粒样品进行光学性质及结构方面的表征。通过分析其在室温下的紫外-可见吸收光谱图,发现吸收峰值波长明显地朝短波长方向移动,这是由量子尺寸效应引起的“蓝移现象”。用透射电子显微镜观察,结果发现制备得到的纳米微粒的尺寸都在20~60nm的范围内。这些样品在无水.乙醇及N,N-二甲基甲酰胺中有良好的分散性和稳定性。荧光光谱测试结果表明合成的CdS及ZnS半导体纳米微粒可以产生较为明显的表面缺陷态发光。通过改变复合结构ZnXCd1-XS中的化学计量比,可以获得不同颜色的发光光谱。XRD的结果给出了典型的纳米半导体CdS晶体的衍射谱图。
王彩凤,李清山[7](2008)在《硫化锌/多孔硅复合体系光致发光特性的研究》文中提出为了研究硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光特性,通过电化学阳极氧化法制备了多孔硅样品,然后用脉冲激光沉积的方法在其上沉积硫化锌薄膜,测量了硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光谱,并对其进行了详细的理论分析和实验验证。结果表明,在不同的激发波长(340nm,360nm,390nm)下,硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光谱不同,硫化锌和多孔硅发光的相对(蓝/红)积分强度比值也不同;硫化锌薄膜的生长温度不同(100℃,250℃,350℃)时,硫化锌/多孔硅复合体系的发光不同,随着生长温度的升高,复合体系的发光谱中,硫化锌的发光增强而多孔硅的发光减弱;衬底多孔硅的制备电流密度不同(3mA/cm2,9mA/cm2,11mA/cm2)时,硫化锌/多孔硅复合体系的发光也有着不同的特点。在适当的多孔硅制备电流密度条件下,把硫化锌的发光与多孔硅的发光叠加,得到了可见光区较宽的光致发光谱带(450nm700nm),呈现较强的白光发射,这一结果为白光二极管的实现开辟了一条新的捷径。
董延茂[8](2008)在《纳米硫化物修饰的支链含杂原子功能高分子的合成与性能研究》文中指出聚合物纳米复合物(PNCs)兼具聚合物和纳米粒子的性质,因此具有特殊的力学、热学、摩擦学、光学、发光学、磁学、电学以及催化等性能。本文合成了多种功能高分子及其纳米复合物,包括:(1)侧链巯基功能化聚苯乙烯/CdS(thiol-functional polystyrene/CdS,TPSC);(2)聚苯乙烯-b-聚4-乙烯基吡啶/ML(M=Cd,Zn;L=S,Se)(polystyrene-b-poly(4-vinylpyridine)/ML,PS4VP/ML);(3)聚(N-苯基马来酰亚胺)-b-聚(4-乙烯基吡啶)/ML(M=Cd,Zn;L=S,Se)(PNPMI-b-P4VP/ML);聚(N-苯基马来酰亚胺)-b-聚(N,N-二甲基甲基丙烯酰胺)/ML(M=Cd,Zn;L=S,Se)(poly(N-phenylmaleimide-b-dimethylamino methacrylate)/ML,PNPMI-b-PDMAM/ML);(4)聚(3-烷基噻吩)/MS(M=Cd,Zn )( poly(3-alkylthiophenes)/MS , P3ATs/MS )和聚( 3-烷氧基噻吩)(poly(3-alkoxythiophenes),P3AOTs)等。通过将高分子与纳米半导体的复合,以提高材料的稳定性和光致发光(PL)和三阶非线性光学(NLO)等光学性能。分别采用自由基共聚(RP)和可逆加成-断裂链转移活性自由基聚合(RAFT)的方法控制聚合物和纳米复合物的组成、纳米粒子的粒径及晶型以及复合物的形态结构,以调控材料的光学性质。1、TPSC聚合物纳米复合物:通过控制投料比有效地调控了侧链巯基功能化聚苯乙烯(thiol-functional polystyrene,TPS)及TPSC的组成、纳米粒子的粒径、晶型以及TPSC的光致发光性质。随着CdS含量的增加,TPSC中CdS的晶型由立方型向六方型转变,TPSC的光致发光主要来自纳米CdS。由于具有量子效应,CdS对TPS的荧光具有增强作用。2、PS4VP/CdS( ZnS ,CdSe )纳米复合物:首次以4-乙烯基吡啶/M2+(4-vinylpyridine/M2+,4VP/M2+)为单体,经RAFT和原位生成法制备了PS4VP/CdS等纳米复合物,通过活性聚合有效地调控了纳米复合物的组成以及纳米粒子的粒径和晶型,进而有效地调控了纳米复合物的光致发光性质。随着RAFT聚合时间的增加,复合物中纳米粒子的含量不断提高,粒径增大,复合物趋于聚集、收缩并自组装。通过改变浓度、纳米粒子含量、分散剂等调控了复合物形态,制备出纳米膜、纳米棒、纳米网孔结构以及高规整度的纳米线结构等纳米复合物。纳米复合物的光致发光随着纳米粒子含量的改变由聚合物和纳米粒子的共同发光转变为以纳米粒子的发光为主。通过在纳米复合物中引入ZnS(蓝色)、CdS(黄绿色)、CdSe(橙红色)等不同的纳米粒子,有效地调节了复合物的光致发光性质,得到了发白光的PS4VP/ZnS/CdS/CdSe纳米复合物。3、PNPMI-b-P4VP/CdS(ZnS,CdSe)、PNPMI-b-PDMAM/ CdS(ZnS,CdSe)纳米复合物:首次以4VP/M2+,N,N-二甲基甲基丙烯酰胺/M2+(dimethylamino methacrylate , DMAM/M2+ )为单体,经RAFT和原位生成法制备了PNPMI-b-P4VP/CdS(ZnS,CdSe),PNPMI-b-PDMAM/CdS(ZnS,CdSe)等聚合物纳米复合物。通过活性聚合有效地调控了纳米复合物的组成、纳米粒子的粒径和晶型,以及复合物的光致发光和三阶NLO性能。随着RAFT聚合时间的增加,复合物中纳米粒子的含量不断提高,粒径增大,复合物的光致发光由聚合物和纳米粒子的共同发光转变为以纳米粒子的荧光为主。通过在纳米复合物中引入ZnS、CdS、CdSe等不同的纳米粒子,有效地调节了复合物的荧光性质,并得到发白光的PNPMI-b-P4VP/ZnS/CdS/CdSe和PNPMI-b-PDMAM/ZnS/CdS/CdSe等纳米复合物。合成的纳米复合物还具有三阶NLO性能,这是纳米粒子与聚合物之间强烈的相干振荡作用的结果。4、聚(3-烷基噻吩)(P3ATs)和聚(3-烷氧基噻吩)(P3AOTs)及其纳米复合物:研究了烷基侧链对聚合物规整性、荧光和非线性光学性能的影响,以及纳米复合物的发光机理。研究表明,随着烷基侧链的增大,P3ATs的规整性下降,吸收光谱蓝移,荧光增强,NLO性质和导电性降低。随着纳米粒子含量的提高,复合物的光致发光大多由聚合物发光向纳米粒子发光转变。聚(3-十二烷基噻吩)/CdS(P3DDT/CdS)的激发和发射基本不随CdS含量的改变而变化,这是因为P3DDT/CdS的价带偏移大于导带偏移,电子和空穴在P3DDT中复合发光。复合物的三阶NLO系数高于P3ATs,这是因为纳米粒子与聚合物之间存在强烈的相互作用。
常鹏[9](2007)在《一维半导体纳米材料的制备与特性研究》文中研究表明本论文以纳米材料的研究为背景,以一维半导体纳米材料的制备为重点,介绍了相关纳米材料领域中的研究进展和我们的研究工作成果。主要研究内容有:1、用草酸溶液作为电解液,制备了多孔阳极氧化铝模板。采用二次氧化法制备出的氧化铝模板孔洞排列有序,孔道平行且直径均匀。通过扩孔处理,这些孔洞的直径可以在30-100纳米范围内变化。2、用化学气相方法,以多孔阳极氧化铝模板为基底制备了管径和管长可控的多壁碳纳米管,研究了催化剂,生长温度,流量比例和反应时间对碳纳米管生长特性的影响。采用类似于电化学沉积类金刚石膜的方法,在多孔阳极氧化铝模板表面沉积了碳纤维。3、采用电场辅助电化学沉积法,在多孔氧化铝模板内沉积了ZnO纳米线阵列,测试结果表明:制备的纳米线是单晶ZnO纳米线,形貌均匀,直径大约为60纳米,并且择优于(101)晶面。4、通过水热反应法制备了平面六角形ZnO纳米片和具有纤维锌矿结构的一维ZnS纳米线,并对ZnS样品进行表征和测试。单晶结构的硫化锌纳米线择优于(001)晶向生长。制备得到的硫化锌纳米线室温下的光致发光光谱通过高斯拟合可得到4个发光峰。
秦竹丽[10](2007)在《纳米硫化锌复合半导体的制备及其性能研究》文中提出纳米硫化锌是一种过渡金属硫化物半导体材料,其独特的结构性能在电子、光催化、光电转化材料等领域有广泛的应用。由于ZnS材料自身存在一些局限和缺陷,阻碍了它的进一步应用。本课题在微乳液体系中首次利用转化法制备了核壳型ZnS/CdS纳米复合半导体,并进行了系统研究。确定了较佳的制备工艺条件,实现了ZnS/CdS纳米复合半导体的简单制备。为今后合成此类材料提供了理论参考和实践经验。通过UV、PL表征了ZnS/CdS纳米复合材料的光学性能,探讨了影响ZnS/CdS纳米复合半导体光学性能的实验因素和影响规律。经过大量的实验探索得出:ZnS单晶的最佳生长温度为35℃,实现ZnS/CdS核壳结构的转化反应的较佳温度为60℃,转化时间为120min,n(Cd/Zn)的最佳比值为1.0。将在同等条件下制备的单体ZnS、CdS纳米颗粒、ZnCdS混晶样品和ZnS/CdS纳米复合颗粒进行UV、PL比较,发现所得的ZnS/CdS纳米复合颗粒吸收光谱发生了很大程度的红移,发光性能得到了较大改善与提高,初次证实了ZnS/CdS核壳结构的实现。利用原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)等方法对所制样品进行了进一步表征,结果表明,所制备的样品ZnS/CdS纳米复合颗粒确实具有核壳两层包覆结构。颗粒平均直径80nm左右,粒径尺寸分布窄。颗粒呈球形、表面光滑且无团聚现象。实验结果表明,在微乳液体系中采用转化法可成功制备核壳型ZnS/CdS纳米复合半导体。与传统上制备此类材料的方法相比,该制备方法合理、工艺简单且容易控制,为制备此类材料提出了一条新的途径。并且所得产品的光学性能得到了极大的完善,扩展了其在电子、发光材料、光催化等领域的应用范围。
二、纳米硫化锌的原位制备及其对多孔硅复合体系发光的调控(论文开题报告)
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、纳米硫化锌的原位制备及其对多孔硅复合体系发光的调控(论文提纲范文)
(1)自支撑NiCo2O4/NF电极材料形貌调控及电化学性能研究(论文提纲范文)
中文摘要 |
abstract |
第一章 绪论 |
1.1 引言 |
1.2 钴镍双金属氧化物材料的制备方法 |
1.2.1 水热/溶剂热法 |
1.2.2 液相沉淀法 |
1.2.3 溶胶-凝胶法 |
1.2.4 微波法 |
1.2.5 模板法 |
1.3 不同形貌NiCo_2O_4的研究进展 |
1.3.1 零维形貌 |
1.3.2 一维形貌 |
1.3.3 二维形貌 |
1.3.4 三维形貌 |
1.4 NiCo_2O_4纳米材料的应用 |
1.4.1 在超级电容器中的应用 |
1.4.2 在催化领域中的应用 |
1.4.3 其它方面的应用 |
1.5 本论文的研究意义和主要研究内容 |
第二章 二维/三维自支撑NiCo_2O_4/NF复合电极材料的调控制备及生长机理研究 |
2.1 引言 |
2.2 实验部分 |
2.2.1 试剂与仪器 |
2.2.2 NiCo_2O_4/NF材料的制备 |
2.2.3 样品结构表征 |
2.3 结果与讨论 |
2.3.1 反应温度对NiCo_2O_4/NF复合材料形貌的影响 |
2.3.2 反应时间对NiCo_2O_4/NF复合材料形貌的影响 |
2.4 结论 |
第三章 二维/三维自支撑NiCo_2O_4/NF复合电极材料的电化学性能研究 |
3.1 引言 |
3.2 实验部分 |
3.2.1 试剂与仪器 |
3.2.2 电化学性能测试 |
3.3 结果与讨论 |
3.3.1 不同反应温度制备NiCo_2O_4/NF复合材料的电化学性能研究 |
3.3.2 不同反应时间制备NiCo_2O_4/NF复合材料的电化学性能研究 |
3.3.3 金属离子检测应用性能测试 |
3.4 结论 |
第四章 软模板法微调控制备自支撑NiCo_2O_4/NF复合电极材料及生长机理研究 |
4.1 引言 |
4.2 实验部分 |
4.2.1 试剂与仪器 |
4.2.2 NiCo_2O_4/NF复合材料的制备 |
4.2.3 样品结构表征 |
4.2.4 表面张力测定 |
4.3 结果与讨论 |
4.3.1 反应温度对软模板法制备NiCo_2O_4/NF材料形貌的影响 |
4.3.2 反应时间对软模板法制备NiCo_2O_4/NF材料形貌的影响 |
4.4 结论 |
第五章 软模板法微调控制备自支撑NiCo_2O_4/NF复合电极材料的电化学性能研究 |
5.1 引言 |
5.2 实验部分 |
5.2.1 试剂与仪器 |
5.2.2 电化学性能测试 |
5.3 结果与讨论 |
5.3.1 软模板法不同反应温度制备NiCo_2O_4/NF材料的电化学性能研究 |
5.3.2 软模板法不同反应时间制备NiCo_2O_4/NF材料的电化学性能研究 |
5.4 结论 |
第六章 三维纳米线状自支撑NiCo_2O_4@Co_3O_4/NF的制备及电化学性能研究 |
6.1 引言 |
6.2 实验部分 |
6.2.1 试剂与仪器 |
6.2.2 Co_3O_4/NF电极材料的制备 |
6.2.3 NiCo_2O_4@Co_3O_4/NF的制备 |
6.2.4 样品结构表征 |
6.2.5 电化学测试 |
6.3 结果与讨论 |
6.3.1 Co_3O_4/NF和 NiCo_2O_4@Co_3O_4/NF材料的表征 |
6.3.2 循环伏安和阻抗性能分析 |
6.3.3 恒电流充放电性能分析 |
6.4 结论 |
第七章 结论与展望 |
创新点 |
参考文献 |
致谢 |
攻读学位期间获得的研究成果 |
(2)以超支化聚合物为模板制备硫化锌和二氧化硅及性能研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第1章 绪论 |
1.1 引言 |
1.2 聚合物模板制备纳米材料的研究进展 |
1.2.1 嵌段聚合物为模板制备纳米材料 |
1.2.2 超支化聚合物为模板制备纳米材料 |
1.2.3 聚合物模板法制备硫化锌的研究进展 |
1.2.4 聚合物模板法制备二氧化硅的研究进展 |
1.3 本论文选题的意义及主要研究内容 |
第2章 端氨基超支化聚酰胺为模板制备纳米硫化锌 |
2.1 引言 |
2.2 实验部分 |
2.2.1 主要原料与仪器 |
2.2.2 材料测试方法 |
2.2.3 端氨基超支化聚酰胺的制备 |
2.2.4 以端氨基超支化聚酰胺为模板制备纳米ZnS |
2.3 结果与讨论 |
2.3.1 AEHPA的化学结构表征 |
2.3.2 纳米ZnS的形貌可控性及性质 |
2.3.3 AEHPA的分子量对纳米ZnS的形貌及其性能的影响 |
2.4 本章小结 |
第3章 端氨基超支化聚酰胺和嵌段聚合物为双模板制备介孔二氧化硅 |
3.1 引言 |
3.2 实验部分 |
3.2.1 主要原料与仪器 |
3.2.2 材料测试方法 |
3.2.3 以AEHPA和P123为双模板制备介孔二氧化硅 |
3.3 结果与讨论 |
3.3.1 AEHPA的含量对介孔二氧化硅形貌和结构的影响 |
3.3.2 AEHPA的分子量对介孔二氧化硅形貌和结构的影响 |
3.4 本章小结 |
第4章 端基超支化聚合物为模板制备二氧化硅 |
4.1 引言 |
4.2 实验部分 |
4.2.1 主要原料与仪器 |
4.2.2 材料测试方法 |
4.2.3 端氨基超支化聚酰胺为模板制备二氧化硅 |
4.2.4 端羧基超支化聚酯为模板制备二氧化硅 |
4.3 结果与讨论 |
4.3.1 以AEHPA-2 为模板制备的二氧化硅的形貌和结构 |
4.3.2 以Hyper C102为模板制备的二氧化硅的形貌和结构 |
4.4 本章小结 |
结论 |
参考文献 |
致谢 |
附录在读期间发表的学术论文与研究成果 |
(3)改性ZnS光催化剂的制备及其选择性吸附/光降解环丙沙星行为研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第一章 绪论 |
1.1 抗生素分类和作用、污染途径危害及防治措施 |
1.1.1 抗生素分类和作用 |
1.1.2 水中抗生素来源及污染途径 |
1.1.3 抗生素污染危害及治理措施 |
1.2 半导体光催化技术及其催化氧化原理 |
1.2.1 ZnS半导体光催化剂 |
1.2.2 ZnS光催化氧化的基本原理 |
1.2.3 影响ZnS光催化氧化反应速率的因素 |
1.3 ZnS光催化剂的制备及提高其催化活性的方法 |
1.3.1 水热/溶剂热的特点 |
1.3.2 提高半导体光催化剂活性的途径 |
1.4 选择性光催化技术 |
1.4.1 分子印迹技术与光催化氧化技术的结合 |
1.4.2 分子印迹聚合物的制备 |
1.4.3 分子印迹聚合物的特点 |
1.4.4 分子印迹聚合物制备的原料 |
1.4.5 表面分子印迹技术与光催化技术 |
1.5 课题研究的目的意义及研究内容 |
1.5.1 本课题的目的、意义 |
1.5.2 本课题的研究内容 |
第二章 水热法制备ZnS光催化剂及其光催化性能的研究 |
2.1 引言 |
2.2 实验部分 |
2.2.1 实验药品与仪器 |
2.2.2 ZnS光催化剂的合成与制备 |
2.2.3 光催化降解反应 |
2.2.4 ZnS光催化剂的特征 |
2.3 结果与讨论 |
2.3.1 ZnS光催化剂表征 |
2.3.2 ZnS光催化活性 |
2.3.3 有关光催化机理的探讨 |
2.4 本章小结 |
第三章 过渡金属离子掺杂改性ZnS光催化剂及其可见光催化降解CIP |
3.1 实验部分 |
3.1.1 实验试剂和仪器 |
3.1.2 金属离子掺杂光催化剂的制备 |
3.1.3 光催化剂活性实验 |
3.2 结果与讨论 |
3.2.1 所制备的催化剂的表征 |
3.2.2 影响催化剂活性的因素 |
3.2.3 可见光催化降解环丙沙星的机理解释 |
3.3 本章小结 |
第四章 改性ZnS表面分子印迹选择性光催化剂的制备及其性能研究 |
4.1 引言 |
4.2 实验部分 |
4.2.1 实验试剂与仪器 |
4.2.2 分子印迹聚合物的制备 |
4.2.3 模板分子的洗脱 |
4.2.4 聚合物光催化剂的表征 |
4.2.5 MIPs分子识别吸附性能和催化降解识别性能的测定 |
4.3 结果与讨论 |
4.3.1 印迹聚合物催化剂的特征 |
4.3.2 印迹聚合物的吸附试验性能测定 |
4.3.3 印迹聚合物的光催化降解试验性能测定 |
4.3.4 MIP-2光催化降解CIP的机理讨论 |
4.4 本章小结 |
第五章 结论、创新点及进一步工作建议 |
5.1 本研究主要结论 |
5.2 本论文的创新性 |
5.3 进一步工作的建议 |
参考文献 |
致谢 |
攻读学位期间发表的学术论文 |
中英文符号及缩写对照表 |
(4)原位合成法制备联二脲/蒙脱土纳米复合材料(论文提纲范文)
摘要 |
ABSTRACT |
第一章 绪论 |
1.1 引言 |
1.2 原位合成 |
1.3 发泡剂 |
1.3.1 发泡剂分类 |
1.3.2 尿素衍生物类发泡剂——联二脲及其合成主要原料 |
1.3.3 联二脲的制备 |
1.4 蒙脱土 |
1.4.1 蒙脱土的结构特征 |
1.4.2 蒙脱土的特性 |
1.4.3 蒙脱土/有机分子插层复合物的形成 |
1.4.4 蒙脱土/聚合物基插层复合材料的形成 |
1.5 本论文研究目的及内容 |
1.5.1 本论文研究的目的 |
1.5.2 本论文研究的内容 |
第二章 原位合成法制备联二脲/蒙脱土纳米复合材料 |
2.1 实验原料 |
2.2 实验仪器 |
2.3 表征方法 |
2.4 样品的制备 |
2.4.1 尿素/蒙脱土插层复合物的制备 |
2.4.2 水合肼/蒙脱土插层复合物的制备 |
2.4.3 碱性条件下合成联二脲 |
2.4.4 联二脲/蒙脱土插层复合物的制备 |
2.5 尿素/蒙脱土插层复合物的表征与讨论 |
2.5.1 固体核磁共振(NMR)分析 |
2.5.2 X射线粉末衍射(XRD)表征 |
2.5.3 傅里叶变换-红外光谱(FT-IR)分析 |
2.6 制备条件对尿素/蒙脱土插层复合物的影响 |
2.6.1 温度的影响 |
2.6.2 洗涤次数的影响 |
2.6.3 反应时间的影响 |
2.6.4 小结 |
2.7 水合肼/蒙脱土插层复合物(HMI)的表征与讨论 |
2.7.1 固体核磁共振(NMR)分析 |
2.7.2 X射线粉末衍射(XRD)分析 |
2.7.3 傅里叶变换-红外光谱(FT-IR)分析 |
2.8 制备条件对水合肼直接插层蒙脱土的影响 |
2.8.1 温度的影响 |
2.8.2 反应时间的影响 |
2.8.3 小结 |
2.9 联二脲及联二脲/蒙脱土插层复合物的表征与讨论 |
2.9.1 固体核磁共振(NMR)分析 |
2.9.2 X射线粉末衍射(XRD)分析 |
2.9.3 傅里叶变换-红外光谱(FT-IR)分析 |
2.9.4 热重-差热(TG-DTA)分析 |
2.9.5 小结 |
第三章 结论 |
3.1 本论文的结论 |
3.2 本论文的创新点 |
参考文献 |
致谢 |
研究成果及发表的学术论文 |
导师和作者简介 |
北京化工大学 硕士研究生学位论文答辩委员会决议书 |
(5)离子液体的合成与应用(论文提纲范文)
摘要 |
ABSTRACT |
第一章 文献综述 |
1.1 离子液体的概述 |
1.1.1 离子液体的概述 |
1.1.2 离子液体的种类和性质 |
1.1.3 离子液体的合成方法 |
1.1.4 离子液体的纯化 |
1.1.5 离子液体的回收与再利用 |
1.1.6 离子液体的应用研究进展 |
1.1.6.1 在有机合成中的应用 |
1.1.6.2 在无机纳米材料制备中的应用 |
1.1.6.3 在萃取分离过程中的应用 |
1.1.6.4 在电化学中的应用 |
1.2 选题依据和研究内容 |
1.2.1 选题依据 |
1.2.2 研究内容 |
1.2.2.1 样品的合成 |
1.2.2.2 样品的表征 |
第二章 离子液体的制备和表征 |
2.1 试剂和仪器 |
2.1.1 主要试剂 |
2.1.2 主要仪器 |
2.2 实验部分 |
2.2.1 1-烷基-3-甲基咪唑盐离子液体的制备 |
2.2.2 1-丙烯基-3-甲基咪唑盐离子液体的制备 |
2.2.3 1-乙酸基-3-甲基咪唑盐离子液体的制备 |
2.2.4 含硫离子液体的制备 |
2.3 化合物的表征 |
2.4 本章小结 |
第三章 离子液体中氯化亚铜纳米晶的合成及表征 |
3.1 试剂和仪器 |
3.1.1 主要试剂 |
3.1.2 主要仪器 |
3.2 实验部分 |
3.2.1 样品的制备 |
3.2.2 样品的测试和表征 |
3.3 结果与讨论 |
3.3.1 X-射线衍射分析 |
3.3.2 TEM分析 |
3.3.3 SEM和 EDX分析 |
3.3.4 FT-IR分析 |
3.3.5 反应机理 |
3.4 本章小结 |
第四章 离子液体辅助的纳米硫化锌的合成和表征 |
4.1 试剂和仪器 |
4.1.1 主要试剂 |
4.1.2 主要仪器 |
4.2 实验部分 |
4.2.1 样品的制备 |
4.2.2 样品测试和表征 |
4.3 结果与讨论 |
4.3.1 X-射线衍射分析 |
4.3.2 SEM分析 |
4.3.3 紫外-可见光谱分析 |
4.3.4 光致发光光谱分析 |
4.4 本章小结 |
第五章 离子液体辅助的纳米硫化镉的合成和表征 |
5.1 试剂和仪器 |
5.1.1 主要试剂 |
5.1.2 主要仪器 |
5.2 实验部分 |
5.2.1 样品的制备 |
5.2.2 样品的测试和表征 |
5.3 结果与讨论 |
5.3.1 X-射线衍射分析 |
5.3.2 SEM分析 |
5.3.3 紫外-可见光谱分析 |
5.3.4 光致发光光谱和 EDX分析 |
5.4 本章小结 |
参考文献 |
致谢 |
攻读硕士学位期间已发表的论文 |
(6)CdS、ZnS及ZnXCd1-XS纳米材料的制备与表征(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第1章 绪论 |
1.1 引言 |
1.2 半导体纳米材料的性质 |
1.2.1 量子尺寸效应 |
1.2.2 体积效应 |
1.2.3 表面效应 |
1.2.4 量子隧穿效应 |
1.2.5 库仑阻塞效应 |
1.2.6 量子干涉效应 |
1.2.7 光学性质 |
1.3 半导体纳米材料的制备方法 |
1.3.1 气相法 |
1.3.2 固相法 |
1.3.3 液相法 |
1.4 纳米材料的分析表征技术 |
1.4.1 紫外-可见吸收光谱(UV-Vis) |
1.4.2 透射电子显微镜(TEM) |
1.4.3 荧光光谱 |
1.4.4 X射线衍射技术(XRD) |
1.5 纳米材料的应用 |
1.5.1 微电子学领域 |
1.5.2 光电领域 |
1.5.3 陶瓷领域 |
1.5.4 生物工程领域 |
1.5.5 医学领域 |
1.5.6 光催化领域 |
1.5.7 能源领域 |
1.6 大分子表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP) |
1.6.1 表面活性剂概述 |
1.6.2 聚乙烯吡咯烷酮(PVP) |
1.7 课题研究意义及内容 |
1.7.1 课题研究意义 |
1.7.2 课题研究内容 |
第2章 液相反应制备CdS半导体纳米微粒 |
2.1 实验部分 |
2.1.1 实验试剂 |
2.1.2 仪器 |
2.1.3 实验操作 |
2.2 结果与讨论 |
2.2.1 紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)分析 |
2.2.2 透射电镜(TEM)分析 |
2.2.3 荧光光谱分析 |
2.2.4 X射线衍射光谱(XRD)分析 |
2.3 本章小结 |
第3章 液相反应制备ZnS半导体纳米微粒 |
3.1 实验部分 |
3.1.1 实验试剂 |
3.1.2 仪器 |
3.1.3 实验操作 |
3.2 结果与讨论 |
3.2.1 紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)分析 |
3.2.2 透射电镜(TEM)分析 |
3.2.3 荧光光谱分析 |
3.3 本章小结 |
第4章 液相反应制备Zn_XCd_(1-X)S纳米微粒 |
4.1 实验部分 |
4.1.1 实验试剂 |
4.1.2 仪器 |
4.1.3 实验操作 |
4.2 结果与讨论 |
4.2.1 紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)分析 |
4.2.2 透射电镜(TEM)分析 |
4.2.3 荧光光谱分析 |
4.3 本章小结 |
第5章 结论 |
参考文献 |
致谢 |
(7)硫化锌/多孔硅复合体系光致发光特性的研究(论文提纲范文)
引 言 |
1 实 验 |
2 结果和讨论 |
2.1 激发波长对硫化锌/多孔硅光致发光的影响 |
2.2 硫化锌薄膜生长温度对硫化锌/多孔硅光致发光的影响 |
2.3 多孔硅的制备电流密度对硫化锌/多孔硅光致发光的影响 |
3 结 论 |
(8)纳米硫化物修饰的支链含杂原子功能高分子的合成与性能研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第一章 文献综述及论文的选题依据 |
1.1 概述 |
1.2 高分子/纳米硫(硒)化物复合材料的研究进展 |
1.2.1 CdS、ZnS、CdSe 及其纳米复合物的制备方法和性质 |
1.2.2 聚合物纳米复合物的光学性能 |
1.3 支链含S、N 杂原子的功能高分子及其纳米复合物的研究进展 |
1.3.1 RAFT 方法合成的两亲性嵌段共聚物 |
1.3.2 巯基功能化高分子及其纳米复合物 |
1.3.3 4-乙烯基吡啶嵌段共聚物及其纳米复合物 |
1.3.4 聚噻吩衍生物及其纳米复合物 |
1.4 本论文的选题依据及研究内容 |
参考文献 |
第二章 巯基功能化聚苯乙烯/CdS 纳米复合物 |
2.1 实验部分 |
2.1.1 原料及试剂 |
2.1.2 TPS 的合成 |
2.1.3 TPSC 的合成 |
2.1.4 检测方法和仪器 |
2.2 结果与讨论 |
2.2.1 TPSC 的制备与表征 |
2.2.2 St 与St-Cl 投料比对PS-Cl、TPS 和TPSC 组成的影响 |
2.2.3 CdS 对TPS 稳定性的影响 |
2.2.4 CdS 含量对TPSC 中CdS 晶型的影响 |
2.2.5 TPSC 浓度对TPSC 形貌的影响 |
2.2.6 CdS 含量对TPS 及TPSC 吸收光谱的影响 |
2.2.7 CdS 含量对TPS 及TPSC 光致发光的影响 |
2.2.8 PS-Cl、TPS 和TPSC 粉末光致发光的比较 |
2.2.9 激发波长对TPSC 光致发光的影响 |
2.3 本章总结 |
参考文献 |
第三章 聚(苯乙烯-b-4-乙烯基吡啶)/CdS(ZnS,CdSe) 纳米复合物 |
3.1 PS4VP/CdS 纳米复合物 |
3.2 PS4VP/ZnS/CdS/CdSe |
3.2.1 实验部分 |
3.2.2 结果与讨论 |
3.3 本章总结 |
参考文献 |
第四章 N-苯基马来酰亚胺嵌段聚合物/CdS(ZnS, CdSe)纳米复合物 |
4.1 PNPMI-b-P4VP/CdS(ZnS,CdSe)纳米复合物 |
4.2 聚(N-苯基马来酰亚胺-b-N,N-二甲基甲基丙烯酰胺)/CdS(ZnS,CdSe) 纳米复合物 |
4.2.1 实验部分 |
4.2.2 结果与讨论 |
4.2.3 本节小结 |
4.3 本章总结 |
参考文献 |
第五章 聚噻吩衍生物及其纳米复合物 |
5.1 聚噻吩衍生物 |
5.2 聚(3-烷基噻吩)/CdS(ZnS)纳米复合物 |
5.2.1 实验部分 |
5.2.2 结果与讨论 |
5.2.3 本节小结 |
5.3 本章总结 |
参考文献 |
第六章 全文总结 |
发表和提交论文、专利 |
致谢 |
(9)一维半导体纳米材料的制备与特性研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第一章 绪论 |
1.1 纳米材料 |
1.2 纳米材料的特性及应用 |
1.2.1 纳米材料的特性 |
1.2.2 纳米材料的应用 |
1.3 纳米材料的制备 |
1.4 半导体纳米材料 |
1.4.1 纳米半导体及其研究现状 |
1.4.2 纳米半导体的特性 |
1.5 选题依据及研究目的 |
参考文献 |
第二章 实验方法 |
2.1 阳极氧化铝模板的制备方法 |
2.1.1 阳极氧化铝简介 |
2.1.2 阳极氧化铝的形成机理 |
2.1.3 阳极氧化铝的应用 |
2.1.4 多孔氧化铝膜的制备工艺 |
2.2 本实验中用到的实验设备 |
2.2.1 透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED) |
2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) |
2.2.3 X射线衍射仪(XRD) |
2.2.4 X射线光电子能谱(XPS) |
2.3 本章小结 |
参考文献 |
第三章 碳纳米管 |
3.1 引言 |
3.2 碳纳米管的发现 |
3.3 碳纳米管的结构 |
3.3.1 碳纳米管的基本结构模型 |
3.3.2 碳纳米管的晶格参数 |
3.3.3 欧拉定律和碳纳米管的不规则结构 |
3.3.4 不同结构的碳纳米管 |
3.4 碳纳米管的性质及其应用 |
3.4.1 碳纳米管的电学性能及其应用 |
3.4.2 碳纳米管的力学性能及其应用 |
3.4.3 碳纳米管的场发射性能及其应用 |
3.4.4 碳纳米管的储放氢性能及应用 |
3.4.5 碳纳米管的电化学性能及应用 |
3.4.6 碳纳米管的其它性能及应用 |
3.5 碳纳米管的制备及可控性 |
3.5.1 碳纳米管的基本制备方法 |
3.5.2 碳纳米管的取向性制备 |
3.5.3 离散的单壁碳纳米管的制备 |
3.5.4 碳纳米管的结构控制 |
3.5.5 碳纳米管的生长机理 |
3.6 低压化学气相沉积法制备碳纳米管 |
3.6.1 实验药品和仪器 |
3.6.2 实验过程 |
3.7 实验结果分析 |
3.7.1 裂解时间的影响 |
3.7.2 生长温度的影响 |
3.7.3 载气含量的影响 |
3.7.4 催化剂的影响 |
3.7.5 场发射特性的测试 |
3.8 电化学模板沉积法制备碳纳米纤维 |
3.8.1 实验药品及仪器 |
3.8.2 制备过程 |
3.8.3 样品表征与分析 |
3.9 本章小结 |
参考文献 |
第四章 氧化锌纳米结构的制备与表征 |
4.1 引言 |
4.2 ZnO单晶纳米材料的制备方法及其研究进展 |
4.2.1 电化学法 |
4.2.2 热蒸发法 |
4.2.3 化学气相输运法 |
4.2.4 用锌作为前驱体的化学气相沉积法 |
4.2.5 金属有机气相外延生长法 |
4.2.6 微波等离子法 |
4.2.7 其它方法 |
4.2.8 水热法 |
4.3 一维 ZnO纳米结构的应用研究进展 |
4.3.1 电子场发射 |
4.3.2 纳米发电机 |
4.3.3 发光器件纳米激光器 |
4.3.4 纳米 ZnO场效应管(FET) |
4.4 电化学法制备 ZnO一维纳米结构 |
4.4.1 引言 |
4.4.2 实验部分 |
4.4.3 实验结果与分析 |
4.5 水热法制备 ZnO纳米结构 |
4.5.1 引言 |
4.5.2 实验样品的制备 |
4.5.2.1 化学试剂 |
4.5.2.2 合成方法 |
4.5.2.3 产物的表征 |
4.6 本章小结 |
参考文献 |
第五章 硫化锌低维纳米结构制备与物性研究 |
5.1 引言 |
5.1.1 水热法制备粉体的反应原理 |
5.1.2 水热体系中的晶粒形成机理 |
5.1.3 水热法制备粉体的基本原理 |
5.1.4 水热合成粉体的特点 |
5.1.5 水热合成粉体晶粒度的影响因素 |
5.2 实验样品的制备 |
5.2.1 化学试剂 |
5.2.2 合成方法 |
5.2.3 产物的表征手段 |
5.3 硫化锌纳米材料的表征与性能研究 |
5.3.1 XRD、Raman光谱表征分析 |
5.3.2 纳米硫化锌样品的形貌表征及化学组成分析 |
5.3.3 低维硫化锌纳米材料的光学性能 |
5.4 水热(热液)法制备低维硫化锌纳米材料的生长机理 |
5.5 小结 |
参考文献 |
第六章 主要结论和展望 |
已发表的文章 |
致谢 |
(10)纳米硫化锌复合半导体的制备及其性能研究(论文提纲范文)
摘要 |
ABSTRACT |
1 绪论 |
1.1 纳米硫化锌的概述 |
1.1.1 硫化锌的基本性质 |
1.1.2 纳米硫化锌的应用 |
1.1.3 纳米硫化锌的研究进展 |
1.2 纳米复合材料 |
1.2.1 纳米复合材料的基本性能 |
1.2.2 纳米复合材料的制备技术研究 |
1.3 ZnS纳米复合材料的研究现状 |
1.3.1 与半导体复合及氧化物复合 |
1.3.2 与金属离子掺杂复合 |
1.3.3 与有机、高分子聚合物的复合 |
1.3.4 与载体复合 |
1.3.5 其它形式的复合 |
1.4 核壳型复合半导体纳米粒子的研究 |
1.4.1 核壳型复合半导体纳米粒子的分类 |
1.4.2 核壳型复合半导体纳米粒子的光学性质 |
1.4.3 核壳型复合半导体纳米粒子的制备 |
1.4.4 核壳型复合半导体纳米粒子的应用与展望 |
1.5 ZnS纳米复合材料的表征技术 |
1.5.1 结构表征 |
1.5.2 性能表征 |
1.6 课题研究思路及主要内容 |
2 实验部分 |
2.1 实验原理 |
2.2 微乳液法制备核壳ZnS/CdS纳米复合材料的流程图 |
2.3 实验试剂 |
2.4 实验仪器 |
2.5 实验步骤 |
2.5.1 微乳液的配置 |
2.5.2 核壳ZnS/CdS纳米复合材料的制备 |
2.6 样品分析和测试方法 |
3 实验结果与分析讨论 |
3.1 半导体材料发光理论 |
3.1.1 光吸收过程 |
3.1.2 光发射过程 |
3.1.3 纳米半导体材料的发光特性 |
3.2 ZnS生长温度对纳米复合颗粒ZnS/CdS光学性能的影响 |
3.2.1 紫外可见吸收光谱 |
3.2.2 光致发光光谱 |
3.2.3 小结 |
3.3 n(Cd/Zn)比例对纳米复合颗粒ZnS/CdS光学性能的影响 |
3.3.1 紫外可见吸收光谱 |
3.3.2 光致发光光谱 |
3.3.3 小结 |
3.4 转化温度对纳米复合颗粒ZnS/CdS光学性能的影响 |
3.4.1 紫外可见吸收光谱 |
3.4.2 光致发光光谱 |
3.4.3 小结 |
3.5 转化时间对纳米复合颗粒ZnS/CdS光学性能的影响 |
3.5.1 紫外可见吸收光谱 |
3.5.2 光致发光光谱 |
3.5.3 小结 |
4 样品表征结果及分析 |
4.1 样品表征流程图 |
4.2 原子力显微镜分析(AFM) |
4.3 紫外-可见吸收光谱 |
4.4 光致发光光谱(PL) |
4.5 透射电子显微镜(TEM) |
4.6 结论 |
5 结论及展望 |
5.1 结论 |
5.2 展望 |
致谢 |
参考文献 |
硕士期间发表的学术论文 |
四、纳米硫化锌的原位制备及其对多孔硅复合体系发光的调控(论文参考文献)
- [1]自支撑NiCo2O4/NF电极材料形貌调控及电化学性能研究[D]. 姚树山. 太原科技大学, 2020(03)
- [2]以超支化聚合物为模板制备硫化锌和二氧化硅及性能研究[D]. 刘婷婷. 中南民族大学, 2016(06)
- [3]改性ZnS光催化剂的制备及其选择性吸附/光降解环丙沙星行为研究[D]. 张孝杰. 江苏大学, 2010(05)
- [4]原位合成法制备联二脲/蒙脱土纳米复合材料[D]. 井利利. 北京化工大学, 2010(01)
- [5]离子液体的合成与应用[D]. 王玲. 浙江师范大学, 2008(12)
- [6]CdS、ZnS及ZnXCd1-XS纳米材料的制备与表征[D]. 刘红娟. 东北大学, 2008(03)
- [7]硫化锌/多孔硅复合体系光致发光特性的研究[J]. 王彩凤,李清山. 激光技术, 2008(02)
- [8]纳米硫化物修饰的支链含杂原子功能高分子的合成与性能研究[D]. 董延茂. 苏州大学, 2008(03)
- [9]一维半导体纳米材料的制备与特性研究[D]. 常鹏. 兰州大学, 2007(04)
- [10]纳米硫化锌复合半导体的制备及其性能研究[D]. 秦竹丽. 西安建筑科技大学, 2007(03)