一、黄铜和封接合金焊接件接头分析（论文文献综述）
商长洋[1]（2020）在《牵引电机定子引线与中性环电阻钎焊工艺优化》文中认为轨道车辆用大功率异步牵引电机在实际运行过程中受复杂运行环境和机车周期振动等因素的影响,常常出现电机三相绕组引线断裂的问题,其中定子绕组引出线与中性环连接处是经常发生断裂的位置之一。牵引电机定子引线与中性环一般采用电阻钎焊技术完成连接,其装配方式是两根引线沿宽边上下分布再叠放在中性环上,发生断裂的通常只有第一根引线,断裂原因受不合理的装配结构和焊接工艺参数共同影响。研究引线的断裂方式及失效原因,优化接头的装配结构和工艺参数,对提高引线的力学性能提高牵引电机的使用寿命有重要意义。本文首先分析了失效接头的断裂形式,并结合原始无氧铜引线梯度退火试验分析了焊接温度对无氧铜引线组织与力学性能的影响;通过数值模拟研究了引线与中性环不同装配结构时焊接温度场和热循环的特点,得出最优的布线形式及相应的工艺参数,最后用优化后的布线方式及焊接工艺参数进行了实际焊接,通过对实际焊件接头组织与性能的测试验证了优化结果。研究结果表明:引线的断裂都发生在T型接头叠放布线时上引线热影响区处,断口具有疲劳断口的特征为疲劳断裂,断裂失效既与运行过程中的振动有关,也与焊接热循环有关。无氧铜引线的退火温度超过650℃时,组织晶粒明显长大,硬度和强度大幅下降。当采用叠放布线的现行工艺对接头进行焊接时,接头温度场分布不均匀,呈上高下低,前高后低的分布状态,两根引线的焊接区和热影响区的温度均超过650℃,上引线温度始终高于下引线温度,造成上引线软化问题严重。为解决这种温度场不均匀的问题,在保证引线载流能力的前提下,尝试两种新的布线方式分别为平行布线和上下布线。平行布线温度场呈左右对称形态,两根引线的温度场相同,高温部分偏向于引线一侧;上下布线温度场呈现对称分布,高温部分出现在上下两根引线前端与石墨电极接触的区域。综合考虑保证钎缝可靠连接和降低焊接热循环对母材性能的影响,得出的最佳布线方式及工艺参数为:平行布线、焊接电流2.22 k A、焊接时间4.8 s。采用新工艺新结构的焊接接头,钎料能够完全熔化,钎料和母材之间实现了良好的冶金结合,满足性能要求。两根引线的组织与旧工艺相比晶粒明显细化,抑制钎缝末端和热影响区位置晶粒长大的趋势,引线的软化程度降低,引线的硬度和抗拉强度均有明显提高。
李富成[2]（2017）在《混合组装固体继电器工艺设计技术研究》文中研究说明作为一种新兴的高可靠无触点电子开关,固体继电器在航天、航空、船舶、兵器等领域均得到了广泛的应用。随着电子工业的飞速发展,固体继电器作为电子器件发展趋势是集成度越来越高,随着航天电子整机系统日趋小型化、高性能和高可靠的发展需求,采用微电子组装技术组装的固体继电器在军用领域应用越来越多。近年来在航天一院、五院、八院一些重点型号上均出现了混合组装固体继电器的需求,逐年增多,并且有逐步替代电磁继电器的趋势。本文主要以某型号Y/K等级混合组装固体继电器产品研制为契机,开展真空共晶焊工艺及键合工艺两种关键工艺的工艺设计研究,解决工艺技术问题。首先,在对固体继电器技术指标分析的基础上,确定该型固体继电器工艺装配流程,结合目前公司混合组装工艺存在的一些问题,通过工艺流程分析确定真空共晶焊工艺和键合工艺作为该型产品关键工艺进行工艺设计研究。然后,对固体继电器的真空共晶焊工艺技术进行研究,为了满足真空共晶焊工艺要求,对焊接件结构进行了改进设计;为了保证焊接的质量以及焊接的效率,设计了焊接定位的工装夹具,并根据实际使用情况进行了改进;为了适应焊接要求,对焊片材料通过工艺试验进行选型,根据焊接结构对焊片成型;通过正交试验法确定焊接工艺参数,对确定的工艺参数进行了焊接试验验证,并与传统手工烙铁焊接工艺方法进行了对比。其次,对固体继电器125μm铝丝键合和25μm金丝键合的键合参数进行了工艺设计,在基准参数范围的基础上,通过正交试验设计法分别得出了适应该型产品的最佳键合参数,并分别进行了125μm铝丝及25μm金丝的组装芯片键合试验验证,针对试验结果进行了工序过程能力指数的计算,评价工序能力指数是否满足要求。最后,进行了产品试制,以验证工艺设计的可行性,产品完成装配后进行了A组检验及鉴定试验考核,以考核固体继电器的工艺设计是否符合技术指标要求。最终结果表明固体继电器的工艺设计达到了预期目的,固体继电器的各项性能符合技术指标要求,可以满足所配套型号的使用。
刁秀晖[3]（2016）在《MGH956合金钎焊用低熔点Cu-P-Sn-Ni钎料及其钎焊工艺的研究》文中研究说明MGH956合金为氧化物弥散强化（简称ODS）合金,具有优越的高温抗氧化性、耐蚀性和力学性能,已广泛应用于航空、航天以及核工业等领域。优化MGH956合金的连接工艺有利于进一步拓展MGH956合金的应用。在所有连接ODS合金的方法中,钎焊是最有应用前景的,其最大特点是连接过程中母材不发生熔化,能在很大程度上防止母材的强化结构受到破坏。钎焊过程中,钎料熔点不宜过高,否则会造成大量母材的溶解,使钎焊接头性能降低。本文根据MGH956合金的成分和性质,以Cu-P共晶成分为设计基础,添加Sn、Ni、稀土等元素以进一步降低钎料熔点和提高钎料的钎焊工艺性能,设计了5组不同成分的铜磷基低熔点钎料。通过显微组织分析、熔点测试、物相分析和铺展性试验,分析和对比各组钎料的工艺性能,优选出2#钎料Cu-6P-5Sn-3Ni对MGH956合金进行了真空钎焊试验,分析了钎焊温度、保温时间和钎缝间隙等工艺因素对MGH956合金钎焊接头的组织和力学性能的影响规律。新型Cu-P-Sn-Ni钎料主要含有三种相:α（Cu）固溶体基体、块状Cu3 P化合物以及分布于Cu3 P晶界处的α（Cu）+Cu3 P+Ni4Sn混合物相。采用新型Cu-P-Sn-Ni钎料对MGH956合金进行800-890℃温度范围内保温5 min或在830℃保温0-15 min的钎焊工艺均能获得成形效果良好的钎缝。钎缝主要由钎缝中心区和两侧的界面反应层组成。其中,钎缝中心区由α（Cu）固溶体基体和金属间化合物Cu3 P+（Fe,Ni）3P+FeCr组成,扩散反应层由α（Fe）固溶体、化合物Fe3P和Cu3 P的混合组织构成。当保温时间为5 min时,随钎焊温度升高,扩散反应层厚度逐渐增加,钎缝中心区中的化合物Cu3 P+（Fe,Ni）3P+FeCr的形态由粗大的蠕虫状转变为较为细小的团絮状或颗粒状。当钎焊温度为830℃时,扩散反应层厚度随保温时间延长而增厚,钎缝中心区中的蠕虫状化合物Cu3 P+（Fe,Ni）3P+FeCr变得更加细小。对各钎焊温度下获得的钎焊接头经室温拉伸试验,发现在800℃保温5 min的钎焊接头和在830℃不保温的钎焊接头在MGH956合金和钎料的界面处断裂,而其他钎焊工艺下的钎焊接头均在钎缝中心区发生断裂,裂纹大致沿着金属间化合物Cu3 P+（Fe,Ni）3P+FeCr与α（Cu）固溶体基体的界面进行扩展,试样的断口呈现出脆性和韧性混合型断裂特征。当保温时间为5 min时,随钎焊温度的升高,钎焊接头室温抗拉强度在830℃时达到峰值,之后随钎焊温度升高,钎焊接头抗拉强度呈现下降的趋势。钎焊温度为830℃时,钎焊接头抗拉强度随保温时间的延长先增大后变小。在钎焊温度830℃保温5 min为最佳钎焊工艺,此钎焊工艺下接头室温抗拉强度为510.3 Mpa,达到母材室温强度的70.9%。
匡泓锦[4]（2014）在《液—固扩散焊复合连接Ti（C,N）与40Cr》文中研究指明Ti（C,N）基金属陶瓷是在TiC基金属陶瓷的基础上发展起来的高性能新型金属陶瓷，研究Ti（C,N）基金属陶瓷与钢等异种材料的连接技术具有深远的意义。本文对Ti（C,N）基金属陶瓷与40Cr钢进行了液-固扩散连接、辅助脉冲电流低温扩散连接试验，通过扫描电镜（SEM）、能谱分析仪（EDS）等设备研究了两种扩散连接方法中工艺参数对接头界面微观组织的影响及两种扩散方法的对比。Ti（C,N）/Ag-Cu-Ti/Cu复合层/40Cr液-固扩散连接，研究保温时间和压力的不同对连接接头微观组织和性能的影响，并研究连接接头界面的形成机理。结果表明，随着压力和保温时间的逐渐增大扩散层宽度也逐渐变宽，随后则形成紧密的接头组织。加热温度880℃、保温时间60min、压力10MPa时，金属陶瓷侧界面主要为Ti2Cu、Ag基固溶体、（Cu，Ni）固溶体；40Cr钢界面主要为Fe基固溶体。Ti（C,N）/Ag-Cu-Ti/Cu/Ag-Cu/40Cr辅助脉冲电流低温扩散连接，研究保温时间变化对接头微观组织的影响，并对金属陶瓷侧断口进行了分析。结果表明，连接温度750℃、保温时间5min、连接压力1MPa时，焊后的接头组织主要组成：Ti（C,N）基体/Ti基固溶体+TiCu化合物/Cu基固溶体和AgCu共晶组织；相比于液-固扩散连接降低了连接时的所需的温度，并在低温的基础上实现了界面高温-基体低温的温差的焊接方式，一定程度的避免了高温焊接时产生的较大热应力，削弱了接头处陶瓷侧的拉应力集中，显着提高了焊后冷却速度，减少了能量消耗，缩短了焊接周期，并提高了焊接效率。Ti（C,N）/Ag-Cu-Zr/Cu/40Cr液-固扩散连接，研究温度和保温时间改变对接头微观组织的影响。结果表明：连接温度950℃、保温时间60min、连接压力10MPa时，金属陶瓷侧界面主要为：ZrO2、Cu2（Zr,Ti）等，Zr对Ti（C,N）陶瓷基体具有良好的润湿反应能力。Ag-Cu-Zr钎料中的Zr扩散至陶瓷基体与陶瓷相反应生成了Zr（C,N）；与Al2O3发生置换反应使Al原子扩散消失；Zr通过与陶瓷相和金属相的作用，降低了原子在其中的扩散，使得Ag、Cu能够扩散进入陶瓷基体，并形成了类似于陶瓷基体的连接界面。
崔建红[5]（2014）在《AZ31镁合金焊接接头化学镀膜及其耐腐蚀性研究》文中研究说明镁合金本身具有的优良特性使得镁合金广泛应用在家电、机械、交通等行业，成为当今时代公认的绿色金属结构材料。在长期使用的过程中，镁合金的易腐蚀、软化等问题已经制约着应用领域的进一步扩大，镁合金现存的各种加工技术问题和潜在性能开发已经成为热门研究课题。为了解决镁合金腐蚀问题，学者们进行了大量的研究，并提出各种防护措施，比如化学转化膜、阳极氧化、激光处理等，其中镁合金化学转化膜具有工艺操作简单、投资成本低廉的特点而在实际中广泛应用。随着镁合金焊接结构件的在不同领域的应用，镁合金焊接接头腐蚀导致材料失效的情况引起足够的重视。由于镁合金在焊接过程中受到热循环的作用，焊接接头不同区域组织发生了很大变化，而传统的镁合金腐蚀防护工艺和机理都是以镁合金为研究对象的，因此传统的腐蚀防护技术工艺不一定适合镁合金焊接接头，需要更深入探究。本文采用学者们常用的环保型镁合金磷化处理配方，以AZ31镁合金焊缝组织试样为研究对象，制定合适的磷化处理工艺和探究磷化液在焊接接头成膜机理与焊接接头磷化膜层在氯化钠溶液中的腐蚀机理。扫描电镜观察膜层的形貌发现，焊缝区膜层致密均匀，X射线图谱分析膜层结果显示膜层为无定型膜层，膜层的成分进行能谱分析后可知，膜层中含有Mn、P、Mg、O等元素，成膜过程中电极电位不断变化，成膜过程中发生试样金属溶解、沉积物的形成与膜层厚度变化等行为；盐水腐蚀试验表明，磷化膜层的耐腐蚀性能得到明显的提高，膜层在盐水中自修复功能对提高耐腐蚀性能起着很大的作用。
李双宏[6]（2013）在《OLED器件铟封接关键技术研究》文中进行了进一步梳理由于OLED（Organic Light-Emitting Diode）显示具有：全固态显示、非常轻薄（只有不到LCD的三分之一的体积和重量）、亮度和对比度高、能耗低、响应速率快（≤10μs）、视角宽，自发光、成本低与加工简单、发光效率高等显示特点，OLED显示被称为第三代显示技术的主导者。但是目前OLED显示器件存在良率较低、寿命较短等问题。这些问题阻碍了OLED显示器件的进一步的发展以及其商业化的步伐。研究如何提高OLED器件的寿命，增加其市场竞争力具有重要的意义。通过改良封装提高OLED器件的寿命是目前最为直接有效的方法。本文首先介绍了OLED器件由实验研究走向市场的发展过程，总结了目前OLED器件存在的优势和缺点。阐述了OLED器件的发光原理和器件的主要结构，分析总结了现有的OLED器件的封装方法和导致OLED器件失效的主要原因。介绍了柔性OLED器件的优势特点和存在的主要问题，总结了目前用于柔性OLED器件的主要几种衬底。从云母薄片的各项性能出发，提出了用云母薄片作为柔性OLED器件衬底的方案，从原理上设计了云母衬底的柔性OLED器件的结构和封装方法。研究了UV胶封装的OLED器件与在高真空环境下的OLED器件的寿命影响因素。发现在基本不用考虑水汽与氧气对器件寿命影响的高真空环境下，OLED器件的寿命有比较大的提高，提高幅度达36.8%。接着设计了铟封接用于OLED器件的实验方案。进行了基片盐酸刻蚀ITO的方法研究，优化设计了加热层以及金属过渡层的掩膜板，研究了镀制SiO2绝缘层和在金属过渡层上制备In-Sn合金和In-Bi合金的方法。对基板与盖板的铟封接的方法进行了研究和探索，最后获得了封接性能良好的铟封接器件。对以云母作为柔性OLED器件的衬底做了初步的研究和探索。由于研究时间以及实验硬件设施的限制，实验通过优化工艺参数及设计方案，制备了铟封接各个功能层薄膜，并实现了上下基板的封装。文章所提出的制备铟封接的实验方案与实验方法，以及成功封接的经验和工艺要求、参数，为以后铟封接应用于OLED器件以及柔性OLED器件建立了坚实的基础。
李红燕[7]（2011）在《Al2O3p/Cu与CuNiSi合金真空钎焊及热处理一体化工艺研究》文中研究表明本文基于Al2O3p/Cu与CuNiSi合金的焊接及热处理特性,以某种电极材料的开发为背景,采用了真空钎焊及热处理一体化工艺,在实现Al2O3p/Cu与CuNiSi合金高强度连接的同时,完成CuNiSi合金的固溶时效处理,以恢复CuNiSi合金的机械性能及导电性能。通过室温拉伸试验、光学显微镜、扫描电镜（SEM、EDS）、导电率及硬度测试等手段,研究了真空钎焊工艺参数和焊后热处理对接头组织及性能的影响。Ag-Cu-Ti钎料对两种母材均有良好的润湿性。基于此钎料我们研究了钎焊温度、保温时间、真空度对接头组织性能的影响。结果表明:（1）钎焊温度过低或钎焊保温时间过短时,钎料向母材间的毛细渗入及扩散作用不明显,冶金作用较弱,接头组织性能较差;随着钎焊温度升高或保温时间延长,钎料与母材的冶金作用充分,可得到理想的焊接接头,但进一步升高钎焊温度或延长保温时间,钎料中Ag元素向两侧母材毛细渗入及扩散严重,致使钎缝处共晶体减少甚至消失,钎缝组织中出现孔洞,严重影响了接头质量。在优化的工艺参数下接头抗拉强度可达300MPa。（2）相同工艺参数下低真空状态的焊接接头组织性能都比高真空状态下要低,较低的真空度使得钎料中的Ti部分被氧化,使钎料在弥散铜上的润湿性下降,从而降低了接头性能。在Ag-Cu-Ti钎料中加入BAg72Cu共晶钎料组成复合钎料,以此来达到降低Ag-Cu-Ti钎料中Ti含量的目的。在相同工艺参数下进行真空钎焊,比较钎焊保温时间对使用两种钎料所得接头性能的影响。在保温时间低于30min时使用Ag-Cu-Ti钎料钎焊的接头性能优于复合钎料,当保温时间超过30min时使用复合钎料所得接头性能表现出明显的优越性。在钎焊过程中施加一定压力,使钎焊接头的组织致密。钎焊保温时间对接头组织性能的影响趋势与未加压时一致。保温时间较短时,加压与未加压的接头性能相差不大,进一步延长保温时间,在加压的作用下,钎缝变窄,钎缝中毛细作用加强,钎缝组织比较致密,接头组织优于相同工艺参数下未加压状态,保温40min时接头抗拉强度仍能达到300MPa。经焊后时效,CuNiSi合金的导电率及硬度都有较大提高,CuNiSi合金硬度达到207HV50,焊后时效处理对焊接接头性能没有太大影响。随着淬火温度的提高,CuNiSi合金的导电率略有下降,而硬度有明显提高。
龚晶晶[8]（2010）在《Cr-Zr-Cu铜合金的TIG焊及焊后热处理对接头组织与性能的影响》文中进行了进一步梳理Cr-Zr-Cu铜合金属于沉淀硬化的高强、高导、时效强化型合金,目前对其焊接性的研究和应用很少。本文对厚度为5mm的Cr-Zr-Cu铜合金薄板进行手工钨极氩弧焊及焊后热处理的实验研究。实验结果表明,采用较高的预热温度（500℃）,大电流（300A）快速（14cm/min）焊接,可得到熔合及成形良好的焊缝。金相、硬度和导电率测试结果表明:焊缝中心为粗大的α相等轴晶组织,熔合线附近为粗大的柱状晶组织,而热影响区很宽,其晶粒长大严重,呈孪晶状的单相α,接头组织在晶界及晶内均有化合物析出;由于焊缝晶粒组织粗大及合金元素分布不均匀,接头导电率严重下降,其中焊缝导电率低于焊接热影响区,而焊缝柱状晶区导电率最低;接头显微硬度也下降,热影响区硬度值相对较低。对焊后接头采用较高的温度（950℃）热处理时,晶粒组织长大严重,Cr、Zr等合金元素因过烧而以化合物的形式在晶界加剧偏聚。由于焊缝金属中合金元素的均匀化和残余应力的释放使焊缝电导率得到提高,但晶粒长大和合金元素晶界偏聚等问题,使得焊缝电导率提高有限,甚至在某些区域出现了电导率下降的情形。电导率随高温热处理时间的延长提高明显,而热处理后因晶粒的长大及合金元素的晶界偏聚的共同作用,接头显微硬度下降。对焊后接头采用相对较低的温度（470℃）对焊接接头进行热处理时,晶粒组织没有再结晶长大,焊缝中过饱和合金元素在中心等轴晶区及柱状晶区块状晶粒组织中弥散析出,并不在晶界偏聚。如果保温时间足够长,析出相在晶粒内部呈网格状。低温热处理可提高接头整体电导率,但随着热处理时间加长,电导率并不能进一步提高。接头显微硬度在热处理过后普遍提高,但在远离焊缝中心的区域,由于热处理前后组织变化不大,又无明显的强化相析出,显微硬度提高不大。
詹为宇[9]（2008）在《特种模块封装工艺研究》文中进行了进一步梳理现代封装工艺技术的发展与电子装备的可靠性的提升之间的关系越来越密切,封装工艺的重要性在国内外日益提升。应用现代封装工艺技术进行高热导材料的气密密封工艺研究具有实际应用需求的牵引,具有工艺挑战性和独创性,同时又解决了同类结构产品的共性技术问题。窗口密封设计技术的工艺研究,主要解决波导密封的量产性、可靠性和保密性的难题,采用高散热材料的密封工艺设计,可解决裸芯片的使用可靠性和稳定性问题,满足了现代电子装备对环境适应性和可靠性的迫切要求,因此,对特定产品封装共性技术深入地研究具有非常重要的现实意义。本文根据某型模块的具体要求,探索窗口设计与封装、高热导材料封装技术,完成了波导密封窗口和模块密封部件的研究,解决了生产中的难题,技术指标达到了GJB548A-96的相关规定的要求。本文完成的工作和创新之处有:1.分析了波导小孔耦合的机理,找到了几种窗口设计的方法;2.用实验优选出了一种高精度加工窗口的工艺;3.通过试验和研究,找到了气密封装的窗口金属氧化途径;4.研究玻璃与金属的焊接可靠性,完成了窗口密封焊接研究:5.通过模块密封试验,完成了模块的气密封装研究,得到了满意的结果;
谢龙[10]（2008）在《镁合金与高分子材料连接技术研究》文中进行了进一步梳理作为一种被重新认识的工程材料，镁合金在汽车制造、航空航天及电子工业等方面得到了广泛应用。材料的产业化应用离不开连接技术的发展。目前，镁合金同种材料的连接技术已日趋成熟。然而，随着镁合金在各个领域的产业化应用，镁合金与其他材料的连接技术已成为制约其应用的关键。同时，高分子材料在汽车，电子及微连接等领域也有着广泛的应用，镁合金与高分子材料的连接问题必将引起人们的关注。在此背景下，本课题对镁合金与高分子材料的连接性进行了基础研究，为两者在工业中的应用奠定基础。利用低功率YAG激光焊接聚丙烯（PP）塑料，通过对塑料进行表面处理提高其对激光的吸收率，实现了PP塑料的连接。通过一系列试验，提出了激光焊接PP塑料的最佳焊接参数。结果显示采用YAG激光焊接聚丙烯（PP）塑料，可得到接近母材强度的焊接接头，初步证实了激光焊接塑料的可行性，为激光焊接镁合金与塑料奠定基础。首次提出并实现了镁合金与高分子材料的激光焊接。对镁合金与高分子材料的激光焊接接头形貌、元素分布、连接机理和力学性能进行了分析。激光焊接镁合金和聚丙烯，可得到T字形焊接接头，没有气孔、夹杂等缺陷，在镁的熔化区发现酯羰基，这种酯的存在使得镁合金与聚丙烯之间形成了稳定的连接。焊接接头剪切强度可达聚丙烯母材的79.3％，具备一定的实际应用价值。采用粘接工艺成功实现了镁合金与高分子材料（聚丙烯PP，ABS塑料）之间的连接，并通过优化工艺得到了性能良好的粘接接头。研究了不同粘接工艺条件下，胶层形貌、力学性能及失效形式的变化。通过添加SiO2颗粒增强胶粘剂提高了镁合金与高分子材料粘接接头的力学性能，拉伸剪切试验中试件均断裂在塑料母材。并且分析了镁合金粘接的连接机理，揭示了实现镁合金与高分子材料粘接的配位键理论。
二、黄铜和封接合金焊接件接头分析（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、黄铜和封接合金焊接件接头分析（论文提纲范文）
（1）牵引电机定子引线与中性环电阻钎焊工艺优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题背景及意义 |
| 1.2 电阻钎焊 |
| 1.2.1 电阻钎焊的原理 |
| 1.2.2 电阻钎焊的特点 |
| 1.2.3 电阻钎焊及钎焊的发展概况 |
| 1.3 无氧铜 |
| 1.3.1 无氧铜的特性 |
| 1.3.2 无氧铜的分类及应用 |
| 1.3.3 无氧铜的焊接 |
| 1.4 焊接数值模拟 |
| 1.4.1 钎焊的焊接数值模拟 |
| 1.4.2 国内外钎焊模拟的趋势 |
| 1.5 本论文的研究目的及内容 |
| 第二章 试验及研究方法 |
| 2.1 试验材料 |
| 2.1.1 引线与中性环 |
| 2.1.2 钎料 |
| 2.2 试验方法 |
| 2.2.1 焊接工艺及接头装配形式 |
| 2.2.2 断口分析 |
| 2.2.3 表面形貌观察 |
| 2.2.4 硬度分析 |
| 2.2.5 微观组织分析 |
| 2.2.6 拉伸试验 |
| 2.2.7 引线退火试验 |
| 2.3 有限元数值模拟仿真 |
| 2.3.1 物理模型 |
| 2.3.2 有限元网格的划分 |
| 2.3.3 材料属性 |
| 2.3.4 初始及边界条件的设定 |
| 第三章 接头引线失效原因分析 |
| 3.1 失效接头断口分析 |
| 3.2 现行工艺接头显微组织及硬度分布 |
| 3.3 退火温度对引线组织与性能的影响 |
| 3.4 引线断裂原因分析 |
| 本章小结 |
| 第四章 数值模拟仿真与结构优化 |
| 4.1 温度场模拟结果与分析 |
| 4.1.1 叠放布线温度场模拟结果 |
| 4.1.2 平行布线温度场 |
| 4.1.3 上下布线数值模拟结果 |
| 4.2 布线方式对接头析热与散热的影响 |
| 4.3 焊接工艺参数与焊接热循环关系分析 |
| 4.4 引线与中性环电阻钎焊工艺优化 |
| 4.5 新工艺验证及接头分析 |
| 4.6 引线力学性能提高与疲劳寿命的关系 |
| 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（2）混合组装固体继电器工艺设计技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题的来源及研究目的和意义 |
| 1.1.1 课题来源 |
| 1.1.2 课题研究目的和意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 军用固体继电器国内外研究现状 |
| 1.2.2 混合组装技术国内外研究现状 |
| 1.3 课题主要研究内容 |
| 第2章 固体继电器工艺流程分析 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 固体继电器技术指标分析 |
| 2.3 固体继电器的工艺流程分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 固体继电器真空共晶焊工艺设计 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 真空共晶焊原理 |
| 3.3 焊接结构及焊接夹具设计改进 |
| 3.3.1 焊接件结构设计改进 |
| 3.3.2 工装夹具的设计及改进 |
| 3.4 共晶焊焊片工艺验证及成型 |
| 3.4.1 焊片成分特性分析 |
| 3.4.2 工艺验证 |
| 3.4.3 焊片成型 |
| 3.5 焊接参数设计 |
| 3.5.1 原理分析 |
| 3.5.2 焊接工艺参数设计 |
| 3.5.3 焊接试验验证 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 固体继电器键合工艺设计 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 键合机理 |
| 4.2.1 铝丝楔形键合 |
| 4.2.2 金丝球键合 |
| 4.3 键合工艺参数设计 |
| 4.3.1 125μm铝丝键合工艺参数设计 |
| 4.3.2 25μm金丝键合工艺参数设计 |
| 4.4 键合试验验证 |
| 4.4.1 125μm铝丝组装芯片键合验证 |
| 4.4.2 25μm金丝组装芯片键合验证 |
| 4.4.3 过程能力指数计算 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 产品装配及试验验证 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 固体继电器装配验证 |
| 5.3 固体继电器试验验证 |
| 5.3.1 A组检验试验验证 |
| 5.3.2 鉴定检验试验验证 |
| 5.4 技术指标对照分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（3）MGH956合金钎焊用低熔点Cu-P-Sn-Ni钎料及其钎焊工艺的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 ODS合金连接的研究现状 |
| 1.2.1 ODS合金TIG焊连接 |
| 1.2.2 ODS合金高能束流焊连接 |
| 1.2.3 ODS合金搅拌摩擦焊连接 |
| 1.2.4 ODS合金过渡液相扩散连接 |
| 1.2.5 ODS合金的钎焊连接 |
| 1.2.5.1 Ni基钎料钎焊ODS合金 |
| 1.2.5.2 Co基钎料钎焊ODS合金 |
| 1.2.5.3 Fe基钎料钎焊ODS合金 |
| 1.2.5.4 Cu基钎料焊ODS合金 |
| 1.3 Cu基钎料的研究现状 |
| 1.3.1 纯铜钎料 |
| 1.3.2 Cu-Mn基钎料 |
| 1.3.3 Cu-Ge基钎料 |
| 1.3.4 Cu-Zn基钎料 |
| 1.3.5 Cu-P基钎料 |
| 1.4 研究意义及主要内容 |
| 第二章 Cu-P-Sn-Ni钎料的制备与测试 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 钎料的成分的设计 |
| 2.3 Cu-P基钎料的熔炼与轧制 |
| 2.3.1 熔炼的一般原则 |
| 2.3.2 熔炼用原材料 |
| 2.3.3 熔炼用设备及方法 |
| 2.3.4 箔状的钎料的制备 |
| 2.4 Cu-P基钎料的微观组织及性能的分析方法 |
| 2.4.1 钎料金相组织的观察 |
| 2.4.2 钎料的物相分析 |
| 2.4.3 扫描电镜观察及能谱分析 |
| 2.4.4 钎料的耐蚀性试验 |
| 2.4.5 钎料的硬度测试 |
| 2.5 Cu-P基钎料的分析测试结果 |
| 2.5.1 钎料显微组织的观察 |
| 2.5.2 钎料的显微硬度 |
| 2.5.3 钎料的DSC分析 |
| 2.5.4 钎料的铺展性试验 |
| 2.5.5 钎料的耐蚀性试验 |
| 2.6 本章结论 |
| 第三章 MGH956合金的钎焊工艺及接头显微组织的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 钎焊实验过程 |
| 3.2.1 实验设备 |
| 3.2.2 实验材料 |
| 3.2.3 钎焊工艺 |
| 3.2.4 接头微观组织的研究方法 |
| 3.3 钎焊接头显微组织的分析 |
| 3.3.1 钎焊试验的结果 |
| 3.3.2 钎焊接头的典型显微组织 |
| 3.3.3 钎焊温度对钎焊接头显微组织的影响 |
| 3.3.4 保温时间对钎焊接头显微组织的影响 |
| 3.3.5 钎缝间隙对钎焊接头显微组织的影响 |
| 3.4 本章结论 |
| 第四章 MGH956合金钎焊接头力学性能的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 接头力学性能的研究方法 |
| 4.2.1 钎焊接头的抗拉强度测试 |
| 4.2.2 拉伸断口的物相分析 |
| 4.2.3 拉伸断口的观察和分析 |
| 4.2.4 钎焊接头的显微硬度测试 |
| 4.3 钎焊接头的室温抗拉强度和断口分析 |
| 4.3.1 钎焊温度对接头抗拉强度的影响 |
| 4.3.2 保温时间对接头抗拉强度的影响 |
| 4.3.3 钎缝间隙对接头抗拉强度的影响 |
| 4.3.4 接头宽度对接头抗拉强度的影响 |
| 4.3.5 钎焊接头的显微硬度分布 |
| 4.4 本章结论 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（4）液—固扩散焊复合连接Ti（C,N）与40Cr（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 选题背景和意义 |
| 1.2 Ti(C,N)基金属陶瓷的研究进展 |
| 1.2.1 Ti(C,N)基金属陶瓷的发展过程 |
| 1.2.2 Ti(C,N)基金属陶瓷的特点 |
| 1.2.3 陶瓷连接遇到的问题 |
| 1.3 金属陶瓷与金属焊接技术的研究现状及发展趋势 |
| 1.3.1 钎焊 |
| 1.3.2 扩散焊 |
| 1.3.3 自蔓延高温合成焊接法 |
| 1.3.4 脉冲电流热压焊接 |
| 1.4 扩散焊接理论基础及研究进展 |
| 1.5 本课题研究内容 |
| 第2章 试验材料及方法 |
| 2.1 试验材料 |
| 2.2 试验设备 |
| 2.3 试验研究方法 |
| 2.3.1 试样准备 |
| 2.3.2 焊接工艺 |
| 2.3.3 检测方法 |
| 第3章 Ag-Cu-Ti/Cu 复合层液-固扩散连接 Ti(C,N)基金属陶瓷与 40Cr |
| 3.1 引言 |
| 3.2 Ti(C,N)/ Ag-Cu-Ti /Cu/40Cr 接头微观组织分析 |
| 3.2.1 接头界面微观形貌 |
| 3.2.2 接头界面元素扩散 |
| 3.2.3 接头断口分析 |
| 3.3 工艺参数对 Ti(C,N)/ Ag-Cu-Ti /Cu/40Cr 接头界面微观组织的影响 |
| 3.4 Ti(C,N)/Ag-Cu-Ti/Cu/40Cr 液-固扩散连接接头界面形成过程 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 Ag-Cu-Ti/Cu/Ag-Cu 辅助脉冲电流液相扩散连接 Ti(C,N)基金属陶瓷与 40Cr |
| 4.1 引言 |
| 4.2 辅助脉冲电流扩散连接试验过程 |
| 4.3 界面微观组织研究 |
| 4.3.1 不同温度下的界面的微观组织 |
| 4.3.2 保温时间对焊接接头的组织性能的影响 |
| 4.4 辅助脉冲电流低温扩散连接接头的组织和性能 |
| 4.4.1 接头组织分析 |
| 4.4.2 接头断面分析 |
| 4.4.3 接头焊后残余应力的缓解 |
| 4.5 辅助电脉冲低温扩散连接界面形成过程研究 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 Ag-Cu-Zr/Cu 复合层液-固扩散连接 Ti(C,N)基金属陶瓷与 40Cr |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Ti(C,N)/ Ag-Cu-Zr /Cu/40Cr 接头微观组织分析 |
| 5.3 焊接工艺参数对接头组织和力学性能的影响 |
| 5.4 接头断裂失效行为分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
| 详细摘要 |
（5）AZ31镁合金焊接接头化学镀膜及其耐腐蚀性研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 镁概述 |
| 1.1.1 镁资源 |
| 1.1.2 镁及镁合金性质 |
| 1.2 镁合金腐蚀 |
| 1.2.1 镁电位 |
| 1.2.2 镁氧化 |
| 1.2.3 腐蚀反应 |
| 1.2.4 镁合金腐蚀种类 |
| 1.3 镁合金表面防护方法 |
| 1.3.1 激光处理 |
| 1.3.2 阳极氧化 |
| 1.3.3 微弧氧化 |
| 1.3.4 有机涂层 |
| 1.3.5 化学转化 |
| 1.4 课题研究现状与目的 |
| 1.4.1 课题研究现状 |
| 1.4.2 研究目的 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 实验材料 |
| 2.2 焊接实验 |
| 2.3 化学转化膜实验 |
| 2.3.1 实验仪器 |
| 2.3.2 实验药品 |
| 2.3.3 试样前处理实验 |
| 2.3.4 化学转化膜实验 |
| 2.4 膜层性能测试 |
| 2.4.1 膜层外观分析 |
| 2.4.2 膜层重量 |
| 2.4.3 膜层形貌与能谱分析 |
| 2.4.4 膜层 X 射线衍射分析 |
| 2.4.5 膜层腐蚀性能 |
| 第三章 化学镀膜工艺研究 |
| 3.1 接头试样表面磷化工艺 |
| 3.1.1 确定配方 |
| 3.1.2 磷化液浓度的确定 |
| 3.1.3 添加剂的选择 |
| 3.1.4 确定添加剂浓度 |
| 3.2 工艺参数优化 |
| 3.2.1 磷化时间 |
| 3.2.2 pH 值的确定 |
| 3.2.3 温度的确定 |
| 3.3 本章总结 |
| 第四章 成膜机理及其膜层耐腐蚀性能 |
| 4.1 膜层分析 |
| 4.1.1 膜层微观形貌分析 |
| 4.1.2 膜层成分分析 |
| 4.1.3 膜层结构分析 |
| 4.1.4 膜层重量变化分析 |
| 4.1.5 成膜过程电化学 |
| 4.1.6 成膜机理分析 |
| 4.1.7 基体母材与接头成膜 |
| 4.2 耐腐蚀性能研究 |
| 4.2.1 浸泡实验 |
| 4.2.2 失重率测试 |
| 4.2.3 盐水浓度对失重的影响 |
| 4.2.4 腐蚀机理 |
| 4.3 本章总结 |
| 第五章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
（6）OLED器件铟封接关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 OLED 的发展过程 |
| 1.3 本文主要工作 |
| 第二章 有机电致发光器件的基本理论 |
| 2.1 OLED 的发光过程 |
| 2.2 OLED 器件结构 |
| 2.3 OLED 器件材料选择 |
| 2.3.1 发光材料 |
| 2.3.2 传输材料 |
| 2.3.3 空穴注入和阻挡材料 |
| 2.4 OLED 器件的封装 |
| 2.4.1 盖板封装 |
| 2.4.2 单层或多层薄膜封装 |
| 2.4.3 小结 |
| 2.5 OLED 器件失效介绍 |
| 2.5.1 金属电极失效 |
| 2.5.2 有机材料失效 |
| 2.5.3 小结 |
| 2.6 柔性 OLED 器件衬底 |
| 2.6.1 金属薄片衬底 |
| 2.6.2 超薄玻璃衬底 |
| 2.6.3 聚合物衬底 |
| 2.6.4 本节小结 |
| 第三章 刚性 OLED 器件寿命实验及其热熔铟封接研究 |
| 3.1 OLED 器件寿命实验 |
| 3.1.1 实验 |
| 3.1.2 实验结果及分析 |
| 3.1.3 小结 |
| 3.2 铟封接技术 |
| 3.2.1 冷压封接 |
| 3.2.2 热熔封接 |
| 3.2.3 小结 |
| 3.3 OLED 热熔铟封结构设计 |
| 3.4 基板的前期处理 |
| 3.4.1 基片的切割 |
| 3.4.2 基片的清洗 |
| 3.4.3 刻蚀 ITO 图案 |
| 3.5 热熔铟封边框的制备 |
| 3.5.1 第一层绝缘层的制备 |
| 3.5.2 加热层的制备 |
| 3.5.3 第二层绝缘层和金属过渡层的制备 |
| 3.5.4 铟封接层的制备 |
| 3.6 基板和盖板的封装 |
| 3.7 IN-BI 合金封接实验 |
| 3.8 封装器件气密性测试 |
| 3.9 本章小结 |
| 第四章 柔性衬底铟封接研究 |
| 4.1 云母 |
| 4.2 白云母的特性 |
| 4.3 云母衬底的柔性 OLED 封装研究 |
| 第五章 总结 |
| 5.1 本文的主要内容 |
| 5.2 下一步工作的展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士间取得的研究成果 |
（7）Al2O3p/Cu与CuNiSi合金真空钎焊及热处理一体化工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 本课题材料的研究现状 |
| 1.1.1 弥散强化铜 |
| 1.1.2 CuNiSi 合金及其热处理研究现状 |
| 1.2 真空钎焊 |
| 1.2.1 真空钎焊接头形成机理 |
| 1.2.2 真空钎焊的优点 |
| 1.3 铜及铜合金的焊接 |
| 1.3.1 铜合金钎焊 |
| 1.3.2 弥散强化铜钎焊技术研究现状 |
| 1.4 本课题研究的意义及内容 |
| 1.4.1 研究意义 |
| 1.4.2 研究内容 |
| 第2章 试验材料与方法 |
| 2.1 试验材料 |
| 2.1.1 母材及试件尺寸 |
| 2.1.2 钎料的合理选择 |
| 2.2 试验设备 |
| 2.3 试验方法 |
| 2.3.1 试样装配定位 |
| 2.3.2 试样焊前准备 |
| 2.3.3 工艺参数的选定 |
| 2.3.4 焊后热处理试验 |
| 2.3.5 金相分析 |
| 2.3.6 性能测试 |
| 2.4 一体化工艺的方案设计 |
| 第3章 基于单一Ag-Cu-Ti 钎料的真空钎焊试验结果及分析 |
| 3.1 钎焊温度对钎焊接头组织和性能的影响 |
| 3.1.1 接头力学性能试验结果 |
| 3.1.2 钎缝的金相组织观察 |
| 3.1.3 钎缝组织成分分析 |
| 3.1.4 钎缝中元素扩散分析 |
| 3.1.5 试验结果分析与讨论 |
| 3.2 保温时间对钎焊接头组织和性能的影响 |
| 3.2.1 接头力学性能试验结果 |
| 3.2.2 接头显微组织分析 |
| 3.2.3 试验结果分析与讨论 |
| 3.3 真空度对钎焊接头组织和性能的影响 |
| 3.3.1 接头力学性能试验结果 |
| 3.3.2 接头显微组织分析 |
| 3.3.3 试验结果分析与讨论 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 基于Ag-Cu-Ti+BAg72Cu 复合钎料的试验结果及分析 |
| 4.1 钎焊保温时间对钎焊接头组织和性能的影响 |
| 4.1.1 接头力学性能试验结果 |
| 4.1.2 接头显微组织分析 |
| 4.1.3 试验结果分析与讨论 |
| 4.2 本章小结 |
| 第5章 加压处理下钎焊试验结果与分析 |
| 5.1 不同保温时间下加压钎焊试验抗拉强度分析 |
| 5.2 接头显微组织分析 |
| 5.3 试验结果分析与讨论 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 热处理对焊接接头和CuNiSi 合金性能的影响 |
| 6.1 焊后时效处理对CuNiSi 合金导电率和硬度的影响 |
| 6.2 淬火温度对CuNiSi 合金导电率和硬度的影响 |
| 6.3 热处理对钎焊接头强度的影响 |
| 6.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 详细摘要 |
（8）Cr-Zr-Cu铜合金的TIG焊及焊后热处理对接头组织与性能的影响（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 高强高导铜合金 |
| 1.2.1 高强高导铜合金的研究现状 |
| 1.2.2 高强高导铜合金的设计原理 |
| 1.3 Cr-Zr-Cu 合金性能及研究现状 |
| 1.3.1 合金元素对Cu-Cr-Zr 系合金性能的影响 |
| 1.3.2 凝固过程对Cu-Cr-Zr 系合金组织和性能的影响 |
| 1.3.3 强化过程对Cu-Cr-Zr 系合金组织和性能的影响 |
| 1.4 铜及铜合金的焊接 |
| 1.4.1 铜及铜合金的焊接工艺 |
| 1.4.2 铜及铜合金在焊接时出现的主要问题 |
| 1.5 Cr-Zr-Cu 铜合金的焊接 |
| 1.5.1 Cr-Zr-Cu 铜合金焊接性分析 |
| 1.5.2 Cr-Zr-Cu 铜合金焊接方法介绍分析 |
| 1.6 焊后热处理 |
| 1.7 课题的研究目的、意义和主要研究内容 |
| 第2章 实验方案 |
| 2.1 实验材料 |
| 2.2 实验设备 |
| 2.3 焊接材料 |
| 2.4 工艺实验 |
| 2.4.1 焊前处理 |
| 2.4.2 工艺参数 |
| 2.4.3 操作规范 |
| 2.5 导电率的测量实验 |
| 2.6 显微硬度实验 |
| 2.7 金相实验 |
| 2.8 焊后热处理 |
| 第3章 TIG 焊试验结果及分析 |
| 3.1 焊缝宏观品质分析 |
| 3.2 焊后接头金相分析 |
| 3.3 导电率测试 |
| 3.4 硬度测试结果分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 950℃热处理对焊接接头性能影响 |
| 4.1 950℃热处理后接头组织性能分析 |
| 4.1.1 950℃热处理后接头组织形貌 |
| 4.1.2 950℃热处理后接头电导率变化 |
| 4.1.3 950℃热处理后接头硬度变化 |
| 4.2 本章小结 |
| 第5章 470℃热处理对焊接接头性能影响 |
| 5.1 470℃热处理后接头组织性能分析 |
| 5.1.1 470℃热处理后接头组织形貌 |
| 5.1.2 470℃热处理后接头电导率变化 |
| 5.1.3 470℃热处理后接头硬度变化 |
| 5.2 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 详细摘要 |
（9）特种模块封装工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 论文研究的背景 |
| 1.1.1 特种产品封装的进展 |
| 1.1.2 集成电路的发展与封装 |
| 1.1.3 特种模块封装的结构和发展趋势 |
| 1.2 论文研究现状及论文主要工作 |
| 1.2.1 论文研究现状 |
| 1.2.2 论文选题和主要研究内容 |
| 第二章 波导窗口的设计与制造研究 |
| 2.1 波导窗口设计 |
| 2.1.1 国外窗口设计 |
| 2.1.2 本所窗口设计 |
| 2.2 窗口制造研究 |
| 2.2.1 窗口加工制造研究 |
| 2.3 低膨胀合金的退火处理 |
| 2.4 窗口基体金属氧化研究 |
| 2.4.1 金属与玻璃封接的机理 |
| 2.5 金属氧化的热力学和动力学 |
| 2.5.1 金属氧化热力学 |
| 2.5.2 金属氧化动力学 |
| 2.6 可伐合金的氧化 |
| 2.6.1 可伐合金在空气中的氧化研究 |
| 2.6.2 可伐合金在水蒸气中的氧化研究 |
| 2.6.3 可伐合金在氮基气氛中的氧化研究 |
| 2.7 窗孔密封技术研究 |
| 2.8 窗口成品气密测试 |
| 第三章 模块气密焊接研究 |
| 3.1 波导口密封研究 |
| 3.2 腔体大面积气密密封研究 |
| 3.2.1 温度梯度焊接研究 |
| 3.2.2 金属自熔焊接研究 |
| 第四章 结论及未来工作的展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者攻硕期间取得的成果 |
（10）镁合金与高分子材料连接技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 选题意义及背景 |
| 1.2 镁合金和高分子材料的应用现状 |
| 1.2.1 镁合金的性能及应用 |
| 1.2.2 高分子材料的性能及应用 |
| 1.3 塑料的焊接 |
| 1.4 镁合金的粘接 |
| 1.5 金属与非金属之间的焊接 |
| 1.6 金属与非金属材料的粘接 |
| 1.6.1 金属与塑料的粘接 |
| 1.6.2 金属与橡胶的粘接 |
| 1.6.3 金属与陶瓷的粘接 |
| 1.7 本文研究内容 |
| 2 塑料的激光焊接 |
| 2.1 试验材料 |
| 2.2 试验设备及方法 |
| 2.3 形貌分析 |
| 2.3.1 焊缝宏观形貌 |
| 2.3.2 焊缝微观形貌 |
| 2.4 力学性能分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 镁合金与高分子材料的焊接 |
| 3.1 试验材料 |
| 3.2 试验设备及方法 |
| 3.3 形貌分析 |
| 3.3.1 焊缝外部形貌 |
| 3.3.2 接头微观形貌 |
| 3.4 元素分析 |
| 3.5 红外光谱分析 |
| 3.6 力学性能分析 |
| 3.7 本章小结 |
| 4 镁合金与高分子材料的粘接 |
| 4.1 试验材料 |
| 4.2 试验方法 |
| 4.3 不同表面处理方法的影响 |
| 4.3.1 镁合金与ABS粘接的表面处理 |
| 4.3.2 力学性能分析 |
| 4.3.3 接头破坏形式分析 |
| 4.4 SiO_2颗粒的影响 |
| 4.4.1 镁合金与PP粘接的表面处理 |
| 4.4.2 力学性能分析 |
| 4.4.3 胶层形貌分析 |
| 4.5 镁合金粘接机理分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 |
| 致谢 |
四、黄铜和封接合金焊接件接头分析（论文参考文献）
- [1]牵引电机定子引线与中性环电阻钎焊工艺优化[D]. 商长洋. 大连交通大学, 2020(05)
- [2]混合组装固体继电器工艺设计技术研究[D]. 李富成. 哈尔滨工业大学, 2017(02)
- [3]MGH956合金钎焊用低熔点Cu-P-Sn-Ni钎料及其钎焊工艺的研究[D]. 刁秀晖. 华南理工大学, 2016(02)
- [4]液—固扩散焊复合连接Ti（C,N）与40Cr[D]. 匡泓锦. 江苏科技大学, 2014(02)
- [5]AZ31镁合金焊接接头化学镀膜及其耐腐蚀性研究[D]. 崔建红. 太原科技大学, 2014(08)
- [6]OLED器件铟封接关键技术研究[D]. 李双宏. 电子科技大学, 2013(01)
- [7]Al2O3p/Cu与CuNiSi合金真空钎焊及热处理一体化工艺研究[D]. 李红燕. 江苏科技大学, 2011(01)
- [8]Cr-Zr-Cu铜合金的TIG焊及焊后热处理对接头组织与性能的影响[D]. 龚晶晶. 江苏科技大学, 2010(04)
- [9]特种模块封装工艺研究[D]. 詹为宇. 电子科技大学, 2008(11)
- [10]镁合金与高分子材料连接技术研究[D]. 谢龙. 大连理工大学, 2008(05)